onsemi Modules hybrides Si/SiC NXH240B120H3Q1x1G
Les modules intégrés de puissance hybride (PIM) Si/SiC NXH240B120H3Q1x1G onsemi contiennent un module Boost IGBT+SiC 1200 V à trois canaux et une thermistance NTC. Chaque canal est constitué d’un IGBT 80 A à commutation rapide, d’une diode SiC 30 A, d’une diode de dérivation et d’une diode de protection IGBT.Les IGBT à arrêt de champ et diodes SiC intégrés fournissent des pertes de conduction et de commutation plus faibles, permettant un rendement élevé et une fiabilité supérieure.
Caractéristiques
- IGBT à arrêt de champ ultra 1200 V
- Faible récupération inverse et diodes SiC à commutation rapide
- Configuration à faible induction
- Broches à insertion par pression/broches à brasage
- Thermistance
Applications
- Onduleurs solaires
- Filtrage du stress environnemental (ESS)
Caractéristiques techniques
- IGBT (T11, T21, T31)
- Tension de collecteur-émetteur maximale de 1200 V
- Tension de grille-émetteur maximale de ±20 V
- Courant collecteur continu maximal de 92 A
- Courant collecteur pulsé maximal de 276 A
- Dissipation de puissance maximale de 266 W
- Diode de protection (D11, D21, D31)
- Tension inverse répétitive de crête maximale de 1200 V
- Courant direct continu maximal de 41 A
- Courant direct de crête répétitif maximal de 123 A
- Dissipation de puissance maximale de 54 W
- Tension maximale de test d’isolement de 3 000 Vefficaces
- Distance de fuite maximale de 12,7 mm
- Diode de surtension au carbure de silicium (D12, D22, D32)
- Tension inverse répétitive de crête maximale de 1200 V
- Courant direct continu maximal de 37 A
- Courant direct de crête répétitif maximal de 111 A
- Dissipation de puissance maximale de 99 W
- Diode de dérivation (D13, D23, D33)
- Tension inverse répétitive de crête maximale de 1200 V
- Courant direct continu maximal de 54 A
- Courant direct de crête répétitif maximal de 162 A
- Dissipation de puissance maximale de 64 W
- Plage de température de fonctionnement de -40 à +150 °C
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Publié le: 2024-01-26
| Mis à jour le: 2024-06-18