ROHM Semiconductor IGBT automobiles à arrêt de champ et en tranchée RGS

Les IGBT automobiles à arrêt de champ et en tranchée RGS de ROHM Semiconductor sont des IGBT automobiles homologués AEC-Q101 disponibles en variantes de 1 200 V et 650 V. Ces IGBT permettent de faible pertes de conduction, les meilleures de leur catégorie, ce qui réduit la taille et améliore le rendement des applications. Les IGBT RGS utilisent des technologies originales de grille en tranchée et à couche mince. Ces technologies aident à atteindre une faible tension de saturation collecteur-émetteur (VCE(sat)) avec des pertes de commutation réduites. Les IGBT RGS de ROHM Semiconductor permettent des économies d’énergie accrues dans diverses applications à haute tension et courant fort.

Caractéristiques

  • Faible perte de conduction de premier plan
  • Rendement élevé
  • Réduire la taille
  • Disponible en valeurs nominales de 1 200 V et 600 V
  • Utilisent les technologies de grille en tranchée et de couche mince
  • Offrent une faible tension de saturation collecteur-émetteur
  • Pertes de commutation réduites
  • Augmentent les économies d'énergie
  • Homologués AEC-Q101
  • Boîtier TO-247N

Applications

  • Convertisseur général pour utilisation automobile et industrielle
  • Chauffage à coefficient de température positif (CTP)
  • Compresseurs électriques

Graphiques de performance

Graphique des performances - ROHM Semiconductor IGBT automobiles à arrêt de champ et en tranchée RGS
Publié le: 2020-07-07 | Mis à jour le: 2024-10-01