ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P RQ7
Les MOSFET de puissance à canal P RQ7 deROHM Semiconductor disposent d’une faible résistance à l’état passant et sont logés dans un petit boîtier TSMT8 à montage en surface. Le ROHM offre une large plage de tensions allant des produits à signal faible aux produits à haute tension de 800 V. Ils peuvent être utilisés pour diverses applications telles que les alimentations électriques et les circuits d'entraînement moteur.
Caractéristiques
- Faible résistance à l'état passant
- Petit boîtier à montage en surface (TSMT8)
- Placage sans plomb ; conforme RoHS
Applications
- Tension
Gamme
Applications sur le marché
Résistance à l'état passant améliorée
Produits associés
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Disposent d'une faible résistance à l'état passant et sont logés dans un petit boîtier moulé à haute puissance (TSMT6).
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Disposent d’une faible résistance à l’état passant et sont logés dans un petit boîtier moulé haute puissance .
| Numéro de pièce | Fiche technique | Vds - Tension de rupture drain-source | Id - Courant continu de fuite | Rds On - Résistance drain-source | Qg - Charge de grille |
|---|---|---|---|---|---|
| RQ7G080BGTCR |  |
40 V | 8 A | 16.5 mOhms | 10.6 nC |
| RQ7P035ATTCR | |
100 V | 3.5 A | 111 mOhms | 40 nC |
| RQ7G080ATTCR | |
40 V | 8 A | 18.2 mOhms | 37 nC |
| RQ7L050ATTCR | |
60 V | 5 A | 39 mOhms | 38 nC |