ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC à canal N SCT4013DW7
Le MOSFET de puissance SiC à canal N SCT4013DW7 de ROHM Semiconductor est un MOSFET à faible résistance à l'état passant de 750 V et 13 mΩ conçu pour une commutation rapide. Le SCT4013DW7 offre une récupération inverse rapide, est facile à mettre en parallèle et facile à piloter. Le SCT4013DW7 de ROHM est idéal pour les convertisseurs solaires, le chauffage à induction et les entraînements à moteur.
Caractéristiques
- Faible résistance à l'état passant
- Vitesse de commutation élevée
- Récupération inverse rapide
- Facile à mettre en parallèle
- Facile à piloter
- Placage de fil sans plomb ; conforme à la directive RoHS
Applications
- Onduleurs solaires
- Convertisseurs CC-CC
- Alimentations à découpage
- Chauffage par induction
- Entraînements à moteur
Style de boîtier
MOSFET associés
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC à canal N de 4e génération
Fournit de faibles résistances à l'état passant avec des améliorations du temps de tenue aux courts-circuits.
Publié le: 2022-09-27
| Mis à jour le: 2023-03-14