ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P SH8J
Les MOSFET de puissance à canal P SH8J de ROHM Semiconductor disposent d'une faible résistance à l'état passant et sont logés dans un petit boîtier à montage en surface (SOP8). ROHM offre une large plage de tensions allant des produits à signal faible aux produits à haute tension de 800 V. Ils peuvent être utilisés pour diverses applications telles que les alimentations électriques et les circuits d'entraînement moteur.
Caractéristiques
- Faible résistance à l'état passant de catégorie supérieure
- Faible résistance à l'état passant
- La gamme étendue améliore la fiabilité tout en réduisant la charge de conception dans un large éventail d'applications
- Petit boîtier à montage en surface (SOP8)
- La nouvelle conception améliore la qualité
- Placage sans plomb ; conforme RoHS
- Sans halogène
Applications
- Tension
Image de la gamme UT6-QH8-SH8
Applications sur le marché
Résistance à l'état passant améliorée
Ressources supplémentaires
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