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Toshiba MOSFET à canal N/P au silicium SSM6L56FE

Les MOSFET à canal N/P au silicium SSM6L56FE de Toshiba sont conçus pour une commutation à haute vitesse. Les MOSFET SSM6L56FE disposent d'un pilote de 1,5 V et d'une faible résistance drain-source à l'état passant.

Caractéristiques

  • Pilote 1,5 V
  • Faible résistance drain-source à l'état passant
  • Canal N Q1 :
    • RDS(ON) = 235 mΩ (max) (à VGS = 4,5 V, ID = 800 mA)
    • RDS(ON) = 300 mΩ (max) (à VGS = 2,5 V, ID = 600 mA)
    • RDS(ON) = 480 mΩ (max) (à VGS = 1,8 V, ID = 200 mA)
    • RDS(ON) = 840 mΩ (max) (à VGS = 1,5 V, ID = 50 mA)
  • Canal P Q2 :
    • RDS(ON) = 390 mΩ (max) (à VGS = -4,5 V, ID = -800 mA)
    • RDS(ON) = 480 mΩ (max) (à VGS = -2,5 V, ID = -500 mA)
    • RDS(ON) = 660 mΩ (max) (à VGS = -1,8 V, ID = -200 mA)
    • RDS(ON) = 900 mΩ (max) (à VGS = -1,5 V, ID = -100 mA)
    • RDS(ON) = 4 000 mΩ (max) (à VGS = -1,2 V, ID = -10 mA)

Boîtier et circuit interne

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Publié le: 2020-10-14 | Mis à jour le: 2024-11-25