Toshiba Transistors à effet de champ SSM6N951L/SSM10N954L

Les transistors à effet de champ SSM6N951L/SSM10N954L de Toshiba favorisent une charge/décharge à haut rendement dans les petites batteries / piles. Améliorer la fiabilité d’une batterie avec un faible impact thermique est une exigence clé pour les batteries Li-ion adoptant un chargement rapide. Les MOSFET sont généralement utilisés dans le circuit de protection de charge/décharge comme commutateur et sont souvent intégrés dans un bloc-batterie Li-ion.

Des défis de fiabilité occasionnels peuvent survenir, tels que la baisse de tension des cellules de batteries, entraînant une baisse de la tension de commande de grille ou des élévations de température en raison d'un courant élevé. Dans ces cas, R_ON, une caractéristique clé des MOSFET, se dégrade, ce qui aura un impact négatif direct sur l'efficacité des fonctions de chargement /déchargement.

Les MOSFET à canal N 12 V communs à drain de Toshiba SSM6N951L et SSM10N954L sont fabriqués par un procédé fin dédié pour minimiser la dépendance _RON à la tension de grille et aux caractéristiques de température. À ce titre, ces MOSFET ont des caractéristiques R_ON plates.

Caractéristiques

Résistance à l'état passant ultra-faible :
- SSM6N951L R_SSON = 4,6 mΩ standard à 3,8 V
- SSM10N954L R_SSON = 2,2 mΩ standard à 3,8 V
Faible courant de fuite de grille : I_GSS ±1 µA maximum à ±8 V