Renesas Electronics MOSFET GaN de 650 V, 34 A

Les transistors FET GaN (nitrure de gallium) de 650 V 34 A de Renesas Electronics sont des dispositifs normalement désactivés utilisant la plateforme Gen IV de Renesas Electronics. Les FET combinent un HEMT GaN haute tension avec un MOSFET silicium basse tension. La plateforme SuperGaN Gen IV® utilise des technologies avancées d’épitaxie et de conception brevetées pour simplifier la fabrication tout en améliorant l’efficacité par rapport au silicium grâce à une charge de grille inférieure, une faible capacité de sortie, moins de perte et une charge de récupération inverse réduite. Les transistors FET GaN présentent des performances intrinsèquement supérieures aux transistors FET en silicium traditionnels, offrant une commutation plus rapide et de meilleures performances thermiques.