Qorvo FET SiC Gen 4 1 200 V UF4C/SC

Les FET SiC Gen 4 1 200 V UF4C/SC de Qorvo sont des séries hautes performances offrant les meilleurs facteurs de mérite de l’industrie. Les FET SiC Gen 4 1 200 V UF4C/SC sont idéaux pour les architectures de bus 800 V courantes dans les chargeurs embarqués pour les EV, les chargeurs de batterie industriels, les alimentations industrielles, les énergies renouvelables, le stockage d’énergie, les machines de soudage, les onduleurs et les applications de chauffage par induction. Disponible en options 23 mΩ à 70 mΩ, la série Gen 4 est basée sur une configuration en cascade unique, où un JFET SiC haute performance est co-emballé avec un Si-MOSFET optimisé en cascade pour produire un dispositif SiC pilote de grille standard. Cette caractéristique permet une conception flexible sans changer la tension de commande de grille, remplaçant facilement les IGBT Si, FET Si, FET SiC ou dispositifs à super-jonction Si.