GS61004B-TR

499-GS61004B-TR
GS61004B-TR

Fab. :

Description :
FET GaN LEGACY GAN SYSTEMS

Cycle de vie:
Obsolète
Modèle de ECAO:
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Disponibilité

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Infineon
Catégorie du produit: FET GaN
Restrictions en matière d'expédition :
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RoHS:  
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
100 V
38 A
22 mOhms
- 10 V, + 7 V
2.6 V
3.3 nC
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
GaNPX
Marque: Infineon Technologies
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TW
Fréquence de fonctionnement max.: 10 MHz
Fréquence de fonctionnement min.: 0 Hz
Sensibles à l’humidité: Yes
Conditionnement: Reel
Conditionnement: Cut Tape
Conditionnement: MouseReel
Type de produit: GaN FETs
Série: GS6100x
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: GaN
Type de transistor: E-Mode
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Attributs sélectionnés: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Transistor GaN à mode d'amélioration 100 V GS61004B

GaN Systems GS61004B 100V Enhancement Mode GaN Transistor has a 100V enhancement mode power switch and are housed in a low inductance GaNPX™ package. The GS61004B have reverse current capability, zero reverse recovery loss and are RoHS 6 compliant. Typical applications are for 48V DC-DC conversions, AC-DC (secondary side synch. rectification), VHF very small form-factor adapters, appliances and power tools and 48V motor drives.
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