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TP65H030G4PWS

Name: Renesas Electronics TP65H030G4PWS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H030G4PWS
Price: 8.78 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

227-TP65H030G4PWS

N° de fab. :

TP65H030G4PWS

Fab. :

Renesas Electronics

Description :

FET GaN 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

TP65H030G4PWS Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Renesas Electronics
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	55.7 A
Rds On - Résistance drain-source:	41 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.8 V
Qg - Charge de grille:	24.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	192 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	SuperGaN
Marque:	Renesas Electronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	JP
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	8 ns
Conditionnement:	Tube
Produit:	FETs
Type de produit:	GaN FETs
Temps de montée:	6.8 ns
Série:	Gen IV SuperGaN
Nombre de pièces de l'usine:	960
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	1 N-Channel
Type:	GaN FET
Délai de désactivation type:	89.2 ns
Délai d'activation standard:	40.8 ns