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TP65H035G4WS

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N° Mouser :

227-TP65H035G4WS

N° de fab. :

TP65H035G4WS

Fab. :

Renesas Electronics

Description :

FET GaN 650V, 35mOhm

Cycle de vie:

Disponibilité restreinte:

Cette référence n''est actuellement pas disponible auprès de Mouser. Le produit peut être disponible en distribution limitée ou par commande spéciale d''usine.

Fiche technique:

TP65H035G4WS Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Disponibilité

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Renesas Electronics
Catégorie du produit:	FET GaN
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	46.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	41 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.8 V
Qg - Charge de grille:	22 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	156 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	SuperGaN
Marque:	Renesas Electronics
Temps de descente:	10 ns
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	GaN FETs
Temps de montée:	10 ns
Série:	Gen IV SuperGaN
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Délai de désactivation type:	94 ns
Délai d'activation standard:	60 ns
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

TP65H035G4WS Fiche technique (PDF)

RoHS Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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