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TP65H050G4WS

Name: Renesas Electronics TP65H050G4WS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H050G4WS
Price: 9.18 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

227-TP65H050G4WS

N° de fab. :

TP65H050G4WS

Fab. :

Renesas Electronics

Description :

FET GaN 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L

Fiche technique:

TP65H050G4WS Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	9,18 €	9,18 €
	5,84 €	58,40 €
	4,96 €	496,00 €
	4,47 €	4 023,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Renesas Electronics
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	34 A
Rds On - Résistance drain-source:	60 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.8 V
Qg - Charge de grille:	24 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	119 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Renesas Electronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	10.9 ns
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	GaN FETs
Temps de montée:	11.3 ns
Nombre de pièces de l'usine:	900
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Délai de désactivation type:	88.3 ns
Délai d'activation standard:	49.2 ns

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Fiche technique

TP65H050G4WS Fiche technique (PDF)

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Japon
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET GaN de 650 V, 34 A

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