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TP65H070G4LSGB-TR

Name: Renesas Electronics TP65H070G4LSGB-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H070G4LSGBTR
Price: 6.73 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

227-TP65H070G4LSGBTR

N° de fab. :

TP65H070G4LSGB-TR

Fab. :

Renesas Electronics

Description :

FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN

Fiche technique:

TP65H070G4LSGB-TR Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	6,73 €	6,73 €
	4,57 €	45,70 €
	3,50 €	350,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	2,98 €	8 940,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Renesas Electronics
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PQFN-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	29 A
Rds On - Résistance drain-source:	85 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.6 V
Qg - Charge de grille:	8.4 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	96 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	SuperGaN
Marque:	Renesas Electronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	6.5 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Type de produit:	GaN FETs
Temps de montée:	9 ns
Série:	Gen IV SuperGaN
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Délai de désactivation type:	71 ns
Délai d'activation standard:	27 ns

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Fiche technique

TP65H070G4LSGB-TR Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

TP65H070G4LSGB 650V SuperGaN® GaN FET

Renesas Electronics TP65H070G4LSGB 650V SuperGaN® Gallium Nitride (GaN) FET is a 650V, 70mΩ normally-off device offering superior quality and performance. TP65H070G4LSGB combines state-of-the-art high-voltage GaN HEMT and low-voltage silicon MOSFET technologies in an 8mm x 8mm PQFN package. Operating within a -55°C to +150°C temperature range, this component features 96W maximum power dissipation, an 18.4A to 29A maximum continuous drain current range, and a 120A pulsed drain current (maximum). The Gen IV SuperGaN® platform uses advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability while improving efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge.