Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

TP65H070G4LSGBA-TR

Name: Renesas Electronics TP65H070G4LSGBA-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-P65H070G4LSGBATR
Price: 2.68 EUR
Availability: OutOfStock

N° Mouser :

227-P65H070G4LSGBATR

N° de fab. :

TP65H070G4LSGBA-TR

Fab. :

Renesas Electronics

Description :

FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Disponibilité

Stock:: Non stocké

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 14 Semaines Délai de production estimé en usine.

Entrez la quantité:

Minimum : 3000 Multiples : 3000

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	2,68 €	8 040,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Renesas Electronics
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Nom commercial:	SuperGaN
Marque:	Renesas Electronics
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Conditionnement:	Reel
Produit:	GaN FETs
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.