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TP65H100G4PS

Name: Renesas Electronics TP65H100G4PS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H100G4PS
Price: 4.93 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

227-TP65H100G4PS

N° de fab. :

TP65H100G4PS

Fab. :

Renesas Electronics

Description :

FET GaN 650V, 100mohm GaN FET in TO220

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

TP65H100G4PS Fiche technique (PDF)

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-,-- €

Ext. Prix:

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,93 €	4,93 €
	3,13 €	31,30 €
	2,43 €	243,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	2,18 €	2 180,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Renesas Electronics
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	18.9 A
Rds On - Résistance drain-source:	110 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.65 V
Qg - Charge de grille:	14.4 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	65.8 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	SuperGaN
Marque:	Renesas Electronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	7.5 ns
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	FETs
Type de produit:	GaN FETs
Temps de montée:	7.1 ns
Série:	Gen IV SuperGaN
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	1 N-Channel
Type:	GaN FET
Délai de désactivation type:	58 ns
Délai d'activation standard:	23 ns

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Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.