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TP65H150G4PS

Name: Renesas Electronics TP65H150G4PS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H150G4PS
Price: 3.94 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

227-TP65H150G4PS

N° de fab. :

TP65H150G4PS

Fab. :

Renesas Electronics

Description :

FET GaN 650V, 150mohm GaN FET in TO220

Fiche technique:

TP65H150G4PS Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,94 €	3,94 €
	2,03 €	20,30 €
	1,85 €	185,00 €
	1,56 €	780,00 €
	1,46 €	1 460,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Renesas Electronics
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	13 A
Rds On - Résistance drain-source:	180 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.8 V
Qg - Charge de grille:	8 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	52 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	SuperGaN
Marque:	Renesas Electronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	8 ns
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	GaN FETs
Temps de montée:	5.2 ns
Série:	Gen IV SuperGaN
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Délai de désactivation type:	48 ns
Délai d'activation standard:	37.8 ns

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.