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TP65H150G4PS

Name: Renesas Electronics TP65H150G4PS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H150G4PS
Price: 4.21 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

227-TP65H150G4PS

N° de fab. :

TP65H150G4PS

Fab. :

Renesas Electronics

Description :

FET GaN 650V, 150mohm GaN FET in TO220

Fiche technique:

TP65H150G4PS Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,21 €	4,21 €
	2,18 €	21,80 €
	1,98 €	198,00 €
	1,63 €	815,00 €
	1,51 €	1 510,00 €
	1,46 €	2 920,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Renesas Electronics
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	13 A
Rds On - Résistance drain-source:	180 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.8 V
Qg - Charge de grille:	8 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	52 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	SuperGaN
Marque:	Renesas Electronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	8 ns
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	GaN FETs
Temps de montée:	5.2 ns
Série:	Gen IV SuperGaN
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Délai de désactivation type:	48 ns
Délai d'activation standard:	37.8 ns