TP65H300G4LSG

Renesas Electronics
227-TP65H0300G4LSG
TP65H300G4LSG

Fab. :

Description :
FET GaN GAN FET 650V 6.5A PQFN88

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Conditionnement:
Reel, Cut Tape
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4,23 €
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1

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FET GaN 650V, 240mOhm
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Renesas Electronics
Catégorie du produit: FET GaN
Restrictions en matière d'expédition :
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RoHS:  
SMD/SMT
PQFN-8x8-3
N-Channel
1 Channel
650 V
6.5 A
312 mOhms
- 18 V, + 18 V
2.6 V
9.6 nC
- 55 C
+ 150 C
21 W
Enhancement
SuperGaN
Marque: Renesas Electronics
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: PH
Temps de descente: 10 ns
Sensibles à l’humidité: Yes
Conditionnement: Tube
Type de produit: GaN FETs
Temps de montée: 3.4 ns
Série: TP65H
Nombre de pièces de l'usine: 50
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: GaN
Délai de désactivation type: 53 ns
Délai d'activation standard: 19.4 ns
Poids de l''unité: 4,096 g
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Attributs sélectionnés: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Gen IV SuperGaN® FETs

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