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SCTWA90N65G2V-4

Name: STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTWA90N65G2V-4
Price: 17.26 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-SCTWA90N65G2V-4

N° de fab. :

SCTWA90N65G2V-4

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	HiP-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	119 A
Rds On - Résistance drain-source:	24 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	157 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 200 C
Pd - Dissipation d’énergie :	565 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	16 ns
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	38 ns
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	58 ns
Délai d'activation standard:	26 ns
Poids de l''unité:	6,080 g