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TP65H070G4LSGB-TR

Name: Renesas Electronics TP65H070G4LSGB-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H070G4LSGBTR
Price: 6.73 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

227-TP65H070G4LSGBTR

N° de fab. :

TP65H070G4LSGB-TR

Fab. :

Renesas Electronics

Description :

FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN

Fiche technique:

TP65H070G4LSGB-TR Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	6,73 €	6,73 €
	4,57 €	45,70 €
	3,50 €	350,00 €
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	2,98 €	8 940,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Renesas Electronics
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PQFN-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	29 A
Rds On - Résistance drain-source:	85 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.6 V
Qg - Charge de grille:	8.4 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	96 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	SuperGaN
Marque:	Renesas Electronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	6.5 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Type de produit:	GaN FETs
Temps de montée:	9 ns
Série:	Gen IV SuperGaN
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Délai de désactivation type:	71 ns
Délai d'activation standard:	27 ns