Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

NTJS3151PT1G

Name: onsemi NTJS3151PT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTJS3151PT1G
Price: 0.54 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-NTJS3151PT1G

N° de fab. :

NTJS3151PT1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 12V 3.3A P-Channel

Fiche technique:

NTJS3151PT1G Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de onsemi NTJS3151PT1G

En stock: 7 001

Stock:: 7 001 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 44 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,542 €	0,54 €
	0,333 €	3,33 €
	0,212 €	21,20 €
	0,161 €	80,50 €
	0,144 €	144,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,114 €	342,00 €
	0,103 €	927,00 €
	0,097 €	2 328,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

NTJS3151PT2G

Conditionnement:

Reel, Cut Tape

Disponibilité:

En stock

Prix:

0,57 €

Min.:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SC-88-6
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	12 V
Id - Courant continu de fuite:	3.3 A
Rds On - Résistance drain-source:	133 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.2 V
Qg - Charge de grille:	8.6 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	625 mW
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	1.5 ns
Transconductance directe - min.:	15 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	1.5 ns
Série:	NTJS3151P
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	3.5 ns
Délai d'activation standard:	0.86 ns
Poids de l''unité:	6,200 mg

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

NTJS3151PT1G Fiche technique

PCN

SPICE Models

Codes de conformité

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Taïwan

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance monocanal P NxJS3151P

Les MOSFET de puissance monocanal P NxJS3151P d'onsemi sont des MOSFET haute performance conçus pour des applications de commutation efficaces. Logés dans un boîtier compact SC-88 (SOT-363) de 2 mm x 2 mm, ces MOSFET d'onsemi offrent un faible R_DS(on) de seulement 45 mΩ à -4,5 V, ce qui permet de réduire les pertes de conduction et d'améliorer les performances thermiques. Avec un drain courant maximum de -3,3 A et une tension nominale drain-source de -12 V, les dispositifs NxJS3151P sont bien adaptés pour la commutation de charge dans les appareils portables et alimentés par batterie. Leur charge de grille ultra-faible et leur commutation rapide permettent d'obtenir une efficacité énergétique améliorée, ce qui rend les MOSFET de puissance monocanal P NxJS3151P d'onsemi idéaux pour les conceptions à espace restreint où la densité de puissance et la fiabilité sont essentielles.