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NTJS3151PT2G

Name: onsemi NTJS3151PT2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTJS3151PT2G
Price: 0.56 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-NTJS3151PT2G

N° de fab. :

NTJS3151PT2G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 12V 3.3A P-Channel

Fiche technique:

NTJS3151PT2G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	0,568 €	0,57 €
	0,348 €	3,48 €
	0,223 €	22,30 €
	0,169 €	84,50 €
	0,148 €	148,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,11 €	330,00 €
	0,101 €	606,00 €
	0,096 €	2 304,00 €

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

NTJS3151PT1G

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

0,54 €

Min.:

Remplacement possible

Fab. :

onsemi

N° de fab. :

NTJS3151PT1G

Description :

MOSFET 12V 3.3A P-Channel

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SC-88-6
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	12 V
Id - Courant continu de fuite:	3.3 A
Rds On - Résistance drain-source:	133 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 12 V, 12 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	625 mW
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	1.5 ns
Transconductance directe - min.:	15 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	1.5 ns
Série:	NTJS3151P
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	3.5 ns
Délai d'activation standard:	0.86 ns

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5-9999-2

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Fiche technique

NTJS3151PT2G Fiche technique

PCN

SPICE Models

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Taïwan

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance monocanal P NxJS3151P

Les MOSFET de puissance monocanal P NxJS3151P d'onsemi sont des MOSFET haute performance conçus pour des applications de commutation efficaces. Logés dans un boîtier compact SC-88 (SOT-363) de 2 mm x 2 mm, ces MOSFET d'onsemi offrent un faible R_DS(on) de seulement 45 mΩ à -4,5 V, ce qui permet de réduire les pertes de conduction et d'améliorer les performances thermiques. Avec un drain courant maximum de -3,3 A et une tension nominale drain-source de -12 V, les dispositifs NxJS3151P sont bien adaptés pour la commutation de charge dans les appareils portables et alimentés par batterie. Leur charge de grille ultra-faible et leur commutation rapide permettent d'obtenir une efficacité énergétique améliorée, ce qui rend les MOSFET de puissance monocanal P NxJS3151P d'onsemi idéaux pour les conceptions à espace restreint où la densité de puissance et la fiabilité sont essentielles.