Découvrez la différence de puissance

Infineon est le leader du marché des semi-conducteurs de puissance. Fort de plus de 20 ans d’expérience et en tant qu’innovateur de la technologie révolutionnaire MOSFET à super-jonction CoolMOS™, Infineon continue d’être pionnier dans le domaine de la gestion de l’alimentation. Les clients peuvent choisir en fonction des exigences individuelles de conception/système parmi la plus large gamme de MOSFET SJ à base de silicium du marché. En tant que l’un des rares fabricants maîtrisant les trois principales technologies d’alimentation, Infineon complète cet assortiment avec une offre révolutionnaire à large bande interdite (WBG). Cette offre comprend des MOSFET CoolSiC™ au carbure de silicium, des diodes correspondantes et des HEMT e-mode CoolGaN™ au nitrure de gallium. Diverses solutions sont disponibles, offrant un excellent rapport qualité-prix, une robustesse inégalée, ou encore des appareils parmi les meilleurs de leur catégorie Cela permet aux clients de construire des applications plus efficaces, plus respectueuses de l’environnement et plus durables.

Résultats: 8
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 1 735En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 985En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 83 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 1 079En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 65 mOhms - 12 V, 12 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW 1 143En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 141 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 21En stock
14 000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 150 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 30En stock
2 00011/02/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW
1 95031/12/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 75 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 123 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW Délai de livraison produit non stocké 15 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 108 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel, Cut Tape