IGBT7 discrets

Les IGBT IGBT7 Discretes d'Infineon Technologies sont la 7e génération des IGBT TRENCHSTOP™, créés avec la technologie de tranchée à motifs microstructurés. La technologie avancée fournit un contrôle et des performances inégalés, ce qui entraîne une réduction significative des pertes, une efficacité améliorée et une densité de puissance accrue dans les applications.

Résultats: 45
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Fiche technique
7 672En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 76 A 230.8 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube


Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 8 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Fiche technique
1 865En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 21 A 106 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Fiche technique
3 166En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 40 A 136 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
Fiche technique
1 594En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 188 A 824 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
Fiche technique
348En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 216 A 1.004 kW - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
Fiche technique
313En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 154 A 630 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Fiche technique
1 125En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 188 A 824 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Fiche technique
650En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 216 A 1.004 kW - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
Fiche technique
368En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 621 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
Fiche technique
293En stock
Min. : 1
Mult. : 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Fiche technique
436En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 154 A 630 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
Fiche technique
721En stock
Min. : 1
Mult. : 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
Fiche technique
961En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
Fiche technique
358En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 621 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
Fiche technique
435En stock
Min. : 1
Mult. : 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
Fiche technique
700En stock
Min. : 1
Mult. : 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
Fiche technique
332En stock
Min. : 1
Mult. : 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 19 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 498 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
Fiche technique
27En stock
720Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 3pin package
Fiche technique
115En stock
24023/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
Fiche technique
362En stock
Min. : 1
Mult. : 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
Fiche technique
199En stock
24021/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 140 A 427 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
Fiche technique
222En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 208 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
Fiche technique
232En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 249 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
Fiche technique
202En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 341 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube