Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Renesas Electronics FET GaN 650V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 312 mOhms 20 V 2 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 31.5 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET GaN 650V, 85mohm GaN FET in TOLL Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 2 000
Mult. : 2 000
Bobine: 2 000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics FET GaN 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 180 mOhms 20 V 4.8 V 8 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET GaN 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 312 mOhms 12 V 2.5 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 31.2 W SuperGaN
Renesas Electronics FET GaN 700V, 300mohm GaN FET in TO220
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 1 000
Mult. : 1 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 312 mOhms 12 V 2.5 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 31.2 W SuperGaN