Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Renesas Electronics FET GaN 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
Fiche technique
351En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

SMD/SMT TOLL-10 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms 4.8 V 24.5 nC - 55C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET GaN 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
Fiche technique
798En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET GaN 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
Fiche technique
1 428En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET GaN 650V, 100mohm GaN FET in TO220
Fiche technique
850En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 3.65 V 14.4 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET GaN 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L
Fiche technique
611En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Fiche technique
2 674En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Fiche technique
2 518En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in TO220
Fiche technique
1 226En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in TOLT
Fiche technique
1 696En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET GaN 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Fiche technique
3 773En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 4 000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 10 V, + 10 V 2.8 V 5 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET GaN 650V, 150mohm GaN FET in TO220
Fiche technique
856En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 180 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET GaN 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Fiche technique
1 685En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 4 000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 18 V, + 18 V 2.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET GaN 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 1 200
Mult. : 1 200

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46.5 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 3.6 V 42.7 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET GaN 650V, 50mohm GaN FET in TOLL
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 2 000
Mult. : 2 000
Bobine: 2 000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in TOLL
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 2 000
Mult. : 2 000
Bobine: 2 000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET GaN 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 4.1 V 14.4 nC - 55 C + 150 C Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FET GaN 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics FET GaN 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics FET GaN 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 5 000
Mult. : 5 000
Bobine: 5 000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics FET GaN 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics FET GaN 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 5 000
Mult. : 5 000
Bobine: 5 000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics FET GaN 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 5 000
Mult. : 5 000
Bobine: 5 000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics FET GaN 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 14.2 A 180 mOhms 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement SuperGaN