Transistors CoolGaN™ G3 100 V

Les transistors CoolGaN™ 100 V G3 d’Infineon Technologies sont des transistors de puissance en mode amélioré (e-mode) normalement désactivés, dans un boîtier compact. Ces transistors disposent d'une faible résistance à l'état passant, ce qui fait des dispositifs un choix idéal pour des performances fiables dans les applications exigeantes à courant élevé et à haute tension. Les transistors CoolGaN sont conçus pour améliorer la gestion thermique. Les applications typiques incluent des solutions d'amplificateur audio, du photovoltaïque, des infrastructures de télécommunications, l'e-mobilité, la robotique et les drones.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm 3 840En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 38 A 7 mOhms 6.5 V 2.9 V 6.1 nC - 40 C + 150 C 23 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm 3 399En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 23 A 11 mOhms 6.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN MV GAN DISCRETES 2 250En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

SMD/SMT PG-VSON-4 HEMT 1 Channel 100 V 23 A - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN MV GAN DISCRETES 5 415En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

SMD/SMT PG-VSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN MV GAN DISCRETES 1 225En stock
10 00023/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

SMD/SMT PG-TSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN