HEMT GaN 6 GHz CGHV600

Les transistors à haute mobilité d’électron (HEMT, High Electron Mobility Transistors) au nitrure de gallium (GaN) 6 GHz CGHV600 Cree fournissent des performances supérieures à celles des transistors au silicium (Si) ou à l’arséniure de gallium (GaAs). Les HEMT au GaN CGHV600 offrent une tension de rupture plus haute, une vitesse de dérive d'électron saturé plus élevée et une conduction thermique supérieure. Ces transistors offrent aussi une densité de puissance plus élevée et des bandes passantes plus larges. Les dispositifs de la série CGHV600 sont idéaux dans une variété d'applications, notamment l'infrastructure du réseau mobile et les amplificateurs de classe A, AB et linéaires.
En savoir plus