Transistors de puissance CoolGaN™ Gen 2 650 V

Les transistors de puissance CoolGaN™ Gen 2 650 V Infineon Technologies  disposent d'une technologie de transistor GaN (nitrure de gallium) hautement efficace pour la conversion d'énergie dans une plage de tension jusqu'à 650 V. La technologie GaN d’Infineon amène le concept e‑mode à maturité avec des volumes élevés de production de bout en bout. Cette qualité pionnière garantit les normes les plus élevées et offre les performances les plus fiables. Les transistors de puissance en mode d’amélioration CoolGaN™ Gen 2 650 V améliorent l’efficacité du système et la densité de puissance avec une commutation ultra-rapide.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES 3 920En stock
1 80016/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 67 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES 4 511En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES 4 750En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES 4 826En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES 1 300En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 38 A 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 125 W
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES 1 535En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 15 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 3.4 nC - 40 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES 916En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 61 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES 482En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES 1 378En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES 623En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES 47En stock
3 60016/12/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies FET GaN HV GAN DISCRETES
3 53816/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C Enhancement