MOSFET de puissance StrongIRFET™ 2

Les MOSFET de puissance StrongIRFET™ 2 Infineon Technologies sont des MOSFET à canal N et niveau normal, 100 % testés en mode avalanche. Les MOSFET StrongIRFET 2 Infineon sont optimisés pour un large éventail d’applications. Les MOSFET offrent une plage de 80 V à 100 V VDS et un RDS(on) de 2,4 mΩ à 8,2 mΩ.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Fiche technique
1 302En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 194 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 155 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
959En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 139 A 4.25 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 57 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
1 089En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 117 A 5.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 51 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
Fiche technique
5 997En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 240 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 210 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Fiche technique
1 401En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 98 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 36 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Fiche technique
768En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 126 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Fiche technique
659En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 107 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
1 224En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 51 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Fiche technique
505En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 259 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 124 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
Fiche technique
636En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 30 V 122 A 2.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 33 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
Fiche technique
624En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 30 V 125 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 46 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
Fiche technique
399En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 30 V 119 A 2.35 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
Fiche technique
3 890En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 137 A 2.35 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IR FET UP TO 60V
Fiche technique
3 908En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 30 V 121 A 2.35 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 50 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET IR FET UP TO 60V
Fiche technique
3 850En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 30 V 78 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 3 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
873En stock
1 80002/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 800

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 315 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 161 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Fiche technique
3 702En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 3.85 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V
Fiche technique
1 622En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 201 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 210 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V
Fiche technique
1 714En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 193 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 106 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
Fiche technique
2 068En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 800

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 80 V 351 A 1.23 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
2 280En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 800

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 294 A 1.75 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
1 735En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 800

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 236 A 2.25 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 103 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Fiche technique
4 886En stock
4 00026/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 185 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 108 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
Fiche technique
1 294En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 143 A 2.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 33 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
Fiche technique
3 736En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 99 A 3.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 16 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape