Transistors CoolGaN™ G3

Les transistors CoolGaN™ G3 d'Infineon Technologies sont conçus pour fournir des performances supérieures dans les applications à haute densité de puissance. Ces transistors possèdent une résistance à l'état passant très faible, permettant une conversion d'énergie efficace et des pertes d'énergie réduites. Disponibles en quatre options de tension (60 V, 80 V, 100 V ou 120 V), les transistors CoolGaN G3 d'Infineon offrent une commutation ultra-rapide avec une charge grille/sortie ultra-faible. Les transistors sont logés dans des boîtiers compacts PQFN, qui améliorent la gestion thermique et prennent en charge le refroidissement double face, garantissant une exploitation fiable même dans des conditions exigeantes. Ces caractéristiques font des transistors CoolGaN G3 le meilleur choix pour des applications telles que les télécommunications, les alimentations électriques des centres de données et les systèmes d'alimentation électrique industriels.

Résultats: 8
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial
Infineon Technologies FET GaN MV GAN DISCRETES 10 745En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

SMD/SMT PG-TSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm 8 535En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

SMD/SMT 1 Channel 120 V 71 A 3.7 mOhms 6.5 V 2.9 V 13 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm 4 033En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 38 A 7 mOhms 6.5 V 2.9 V 6.1 nC - 40 C + 150 C 23 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm 3 060En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 23 A 11 mOhms 6.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm 3 530En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

SMD/SMT 1 Channel 60 V 99 A 1.9 mOhms 6.5 V 2.9 V 13 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm 4 619En stock
5 00016/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

SMD/SMT 1 Channel 80 V 86 A 2.5 mOhms 6.5 V 2.9 V 12 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN MV GAN DISCRETES 2 162En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

SMD/SMT PG-VSON-4 HEMT 1 Channel 100 V 23 A - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FET GaN MV GAN DISCRETES 4 607En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

SMD/SMT PG-VSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN