StrongIRFET™ Power MOSFETs

Infineon StrongIRFET™ Power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. These devices are ideal for low-frequency applications requiring performance and ruggedness. These MOSFETs have the highest current-carrying capability in the industry. This feature leads to increased robustness and reliability for high power density applications which require high efficiency and reliability. 

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V 40A TISON-8
Fiche technique
7 001En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

Si SMD/SMT TISON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 40 A 4.2 mOhms, 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 17 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
Fiche technique
18 455En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 79 A 7.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 69 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
20 650En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 59 A 12.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(120V 300V)
Fiche technique
1 327En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 4.8 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Infineon Technologies MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC
Fiche technique
4 368En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 4 000

Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 120 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 41 nC - 55 C + 150 C 3.6 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
Fiche technique
1 287En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole N-Channel 2 Channel 100 V 11 A 72.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 12 nC - 55 C + 150 C 18 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB
Fiche technique
53 692En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 95 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 75 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Fiche technique
892En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 282 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 155 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel


Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
Fiche technique
2 556En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
Fiche technique
699En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 75 V 195 A 1.85 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 380 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
4 251En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 209 A 1.28 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 330 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
2 864En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 150 V 203 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 160 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 60V 300A 1.9mOhm 110nC LogLv7
Fiche technique
1 289En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

Si SMD/SMT TO-252-7 N-Channel 1 Channel 60 V 300 A 1.9 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 160 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
Fiche technique
3 631En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 230 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 72 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
895En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 186 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 80 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V
Fiche technique
13 081En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 121 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 29 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 51A 25mOhm 66.7nCAC
Fiche technique
3 059En stock
40026/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 51 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 66.7 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
Fiche technique
5 905En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 270 A 2.4 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 140 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IRFP4468PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
Fiche technique
412En stock
3 200Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 290 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 360 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 143W
Fiche technique
551En stock
1 00025/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 135 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET 40V StrongIRFET 240A, .75mOhm,305nC
Fiche technique
816En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 522 A 750 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 305 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, TO-262
Fiche technique
847En stock
1 00005/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 40 V 250 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 225 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Fiche technique
6 000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 203 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 168 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
Fiche technique
75424/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 151 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4310ZPBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
Fiche technique
38023/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 175 C 280 W Enhancement Tube