HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Résultats: 720
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Nom commercial Conditionnement
IXYS MOSFET TO252 650V 8A N-CH X2CLASS 29En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET 60En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO252 N-CH 55V 90A 191En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 55 V 90 A 8.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET 32En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 850 V 20 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 170 Amps 150V 0.013 Rds 38En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 150 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 190 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A 51En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 50 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 1KV 7A N-CH POLAR 39En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 7 A 1.9 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 47 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode 1En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 94 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 102 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 170A 200V 1En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 170 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 265 nC - 55 C + 175 C 1.15 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 180A 250V 52En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 180 A 12.9 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 345 nC - 55 C + 150 C 1.39 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO264 200V 220A N-CH X3CLASS 9En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 220 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 204 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V/14A UlJun XCl 19En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 850 V 14 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 300V 56A N-CH X3CLASS 41En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 56 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 7 Amps 800V 1.44 Rds 89En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 1.44 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 90A N-CH X3CLASS 35En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 12.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/10A 4En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 10 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 3.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 260A 21En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 55 V 260 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 140 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
1 75024/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 250 V 170 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
2 08825/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 100 V 320 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 430 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 300V 72A N-CH X3CLASS
2 12001/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 300 V 72 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds
61724/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 100 A 49 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 240 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
29209/11/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 110 A 56 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 245 nC - 55 C + 150 C 1.89 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds
2 94810/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 110 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 26A
60030/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 72 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 42A 0.185Ohm PolarP3 Power MOSFET
30019/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 42 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 78 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube