SemiQ Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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SemiQ Modules d'alimentation MOSFET SiC GEN3 1 200 V
SemiQ Modules d'alimentation MOSFET SiC GEN3 1 200 V
08/11/2025
With an isolated backplate, based on third-generation SiC technology, and tested at over 1400V.
SemiQ Dispositifs discrets GEN3 MOSFET SiC 1 200 V
SemiQ Dispositifs discrets GEN3 MOSFET SiC 1 200 V
01/02/2025
Developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.
SemiQ Diode GP3D050B170B SCHOTTKY SiC QSiC™ 1 700 V
SemiQ Diode GP3D050B170B SCHOTTKY SiC QSiC™ 1 700 V
08/26/2024
Livrée dans un boîtier TO-247-2L conçu pour répondre aux exigences de taille et de puissance dans une variété d’applications.
SemiQ Modules demi-pont MOSFET SiC 1200 V GCMX
SemiQ Modules demi-pont MOSFET SiC 1200 V GCMX
03/21/2024
Faibles pertes de commutation, faible résistance thermique jonction-boîtier et montage aisé et très robuste.
SemiQ Modules pont complet MOSFET SiC 1200 V GCMX
SemiQ Modules pont complet MOSFET SiC 1200 V GCMX
03/21/2024
Idéal pour les onduleurs photovoltaïques, les systèmes de stockage d’énergie et les convertisseurs CC-CC haute tension.
SemiQ GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET
SemiQ GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET
11/15/2023
Offers reduced switching losses, higher efficiency, and increased power density.
SemiQ GCMX040B120S1-E1 1200V SiC MOSFET Power Module
SemiQ GCMX040B120S1-E1 1200V SiC MOSFET Power Module
03/09/2023
The module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.
SemiQ GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module
SemiQ GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module
03/09/2023
The module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.
SemiQ GP2T080A120H 1200V SiC MOSFET
SemiQ GP2T080A120H 1200V SiC MOSFET
07/28/2022
Features high-speed switching, a driver source pin for gate driving, and a reliable body diode.
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TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules
TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules
02/05/2026
High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.
Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02/03/2026
Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
02/03/2026
Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.
Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
02/03/2026
Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
Vishay Diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium
Vishay Diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium
02/03/2026
Offrent une efficacité, une robustesse et une fiabilité exceptionnelles dans les applications exigeantes d’électronique de puissance.
Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02/03/2026
Designed for demanding power conversion applications
IXYS X4-Class Power MOSFETs
IXYS X4-Class Power MOSFETs
02/02/2026
Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A
Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A
01/20/2026
Transistors discrets HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P 3dB), et fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.
IXYS Diodes haute tension et à récupération rapide DP
IXYS Diodes haute tension et à récupération rapide DP
01/20/2026
Diodes SCHOTTKY de 600 V ou 1 200 V avec un courant de fuite inverse faible et un temps de récupération rapide.
Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A
Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A
01/19/2026
Transistor HEMT discret technologie GaN-sur-SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P3 dB), fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.
Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A
Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A
01/19/2026
Le transistor discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC), 25 W, avec adaptation d'entrée 50 Ω, fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation de 50 V.
Littelfuse Diodes haute fiabilité SM15KPA-HRA et SM30KPA-HRA
Littelfuse Diodes haute fiabilité SM15KPA-HRA et SM30KPA-HRA
01/13/2026
Protègent les interfaces E/S, le bus VCC et d'autres circuits dans les applications d'avionique, d'aviation et d'eVTOL.
Littelfuse Diodes TVS SP432x-01WTG
Littelfuse Diodes TVS SP432x-01WTG
01/08/2026
Offrent une très faible capacité, une protection bidirectionnelle et un niveau de protection élevé.
onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X
onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X
12/26/2025
Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V
Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V
12/23/2025
Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.
onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL
onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL
12/19/2025
Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2
12/19/2025
Conçus pour répondre aux exigences strictes des applications dédiées aux véhicules électriques (VE).
onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC
onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC
12/04/2025
Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
12/04/2025
Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.
Infineon Technologies Transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7
Infineon Technologies Transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7
12/01/2025
Le boîtier DTO247 remplace plusieurs transistors à faible courant dans des boîtiers TO247 connectés en parallèle.
onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8
onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8
11/25/2025
Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.
onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085
onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085
11/25/2025
Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
11/24/2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
Bourns Diodes de suppression de tension transitoire SMLJ-R
Bourns Diodes de suppression de tension transitoire SMLJ-R
11/24/2025
Conçues pour la protection DES et contre les surtensions dans un format de boîtier de puce compact DO-214AB (SMC).
Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
11/24/2025
Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.
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