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SemiQ Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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Types de Semiconducteurs discrets

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SemiQ Modules d'alimentation MOSFET SiC GEN3 1 200 V

08/11/2025

- With an isolated backplate, based on third-generation SiC technology, and tested at over 1400V.

SemiQ Dispositifs discrets GEN3 MOSFET SiC 1 200 V

01/02/2025

- Developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.

SemiQ Diode GP3D050B170B SCHOTTKY SiC QSiC™ 1 700 V

08/26/2024

- Livrée dans un boîtier TO-247-2L conçu pour répondre aux exigences de taille et de puissance dans une variété d’applications.

SemiQ Modules demi-pont MOSFET SiC 1200 V GCMX

03/21/2024

- Faibles pertes de commutation, faible résistance thermique jonction-boîtier et montage aisé et très robuste.

SemiQ Modules pont complet MOSFET SiC 1200 V GCMX

03/21/2024

- Idéal pour les onduleurs photovoltaïques, les systèmes de stockage d’énergie et les convertisseurs CC-CC haute tension.

SemiQ GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET

11/15/2023

- Offers reduced switching losses, higher efficiency, and increased power density.

SemiQ GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module

03/09/2023

- The module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.

SemiQ GCMX040B120S1-E1 1200V SiC MOSFET Power Module

03/09/2023

- The module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.

SemiQ GP2T080A120H 1200V SiC MOSFET

07/28/2022

- Features high-speed switching, a driver source pin for gate driving, and a reliable body diode.

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Bourns CDSOT23-SM712-Q Surface Mount TVS Diode

05/12/2026

- Provides protection for data ports in accordance with IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4, & IEC 61000-4-5.

Littelfuse Diodes TVS FlatSuppressX™ TP1KSMB-FL

05/04/2026

- Spécialement conçues pour protéger les équipements électroniques sensibles contre les surtensions transitoires.

Littelfuse Diodes TVS FlatSuppressX™ TP5.0SMD-FL

05/04/2026

- Puissance d'impulsion de crête de 5000 W avec une forme d'onde de 10/1000 µs et dissipation de puissance de 6,5 W.

Littelfuse Diodes TVS AK-FL

05/04/2026

- Diodes TVS bidirectionnelles FlatSuppressX™ à tension de serrage faible et stable, avec pattes axiales.

Littelfuse SCR haute température SJx08x

04/24/2026

- Tension jusqu'à 800 V, capacité de courant de surtension jusqu'à 100 A et température de fonctionnement jusqu'à +150°C.

Littelfuse TRIAC alternistors haute température QVx35xHx

04/24/2026

- Offre un courant nominal de 35 A et est disponible dans les emballages TO-220AB, TO-220 isolés et TO-263.

RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions

04/24/2026

- Features components ideal for energy, industrial, and medical applications.

Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode

04/16/2026

- Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

04/14/2026

- Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC

04/10/2026

- Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.

Vishay Redresseurs à récupération rapide RS07x

04/07/2026

- Redresseurs à montage en surface et passivés au verre avec une VRRM maximale comprise entre 100 V et 800 V.

Vishay Redresseurs haute tension à récupération standard S07x-M

04/07/2026

- Redresseurs à montage en surface et passivés au verre avec une VRRM maximale comprise entre 100 V et 1 000 V.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04/07/2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E

04/06/2026

- MOSFET à canal N double conçu avec une faible Rg pour les applications à commutation rapide.

Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes

04/02/2026

- High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.

Vishay Module MOSFET de puissance VS-HOT200C080 de 200 A et 80 V

04/02/2026

- Ce dispositif réduit les exigences d’espace de la carte jusqu’à 15 % par rapport aux solutions discrètes standard.

Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes

04/02/2026

- AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.

STMicroelectronics MOSFET de puissance STL059N4S8AG

03/31/2026

- Un MOSFET de puissance à canal N en mode enrichissement 40 V conçu avec la technologie Smart STRipFET F8.

Toshiba MOSFET de puissance à canal N/canal P

03/31/2026

- Idéaux pour les commutateurs à commutation rapide, les commutateurs de gestion de l'alimentation, les convertisseurs CC-CC et les entraînements à moteur.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 60 V

03/27/2026

- Offrent des performances supérieures à OptiMOS 5 grâce à une technologie MOSFET de puissance robuste.

Infineon Technologies Diodes multi-usage pour la protection DES

03/27/2026

- Avec une protection optimale dans un empreinte compact, ces diodes offrent des performances DES supérieures.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 25 V à canal N

03/27/2026

- Performances optimisées pour les applications, permettant des performances optimales pour les centres de données, les serveurs et l'IA.

RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifiers

03/24/2026

- Compact and ideal for micro-power isolated power supply applications with limited space.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03/24/2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

Renesas Electronics Commutateur bidirectionnel (BDS) TP65B110HRU

03/20/2026

- à semi-conducteur de nitrure de gallium (GaN) de 650 V et 110 mΩ normalement désactivé dans un boîtier compact TOLT.

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