Les plus récent(e)s MOSFET

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Nexperia MOSFET canal N BUK7Q dans boîtier MLPAK33-WF

09/29/2025

- Utilise la technologie Trench 9, répond aux exigences AEC-Q101.

Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q

09/09/2025

- Compatible aux niveaux logiques, commutation rapide et entièrement homologuée pour l'automobile selon la norme AEC-Q101 à 175 °C.

Nexperia MOSFET BUK6Q8R2-30PJ

08/27/2025

- FET à canal P dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET Trench.

Nexperia MOSFET BUK6Q66-60PJ

08/27/2025

- FET à canal P dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET Trench.

Nexperia MOSFET BUK6Q21-30PJ

08/19/2025

- FET à canal P 30 V dans un boîtier CMS en plastique MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie de MOSFET à tranchée.

Nexperia MOSFET BUK6Q12-40PJ

08/19/2025

- FET à canal P dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET à tranchée.

Nexperia MOSFET BUK6Q26-40PJ

08/19/2025

- FET à canal P dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET à tranchée.

Nexperia MOSFET à tranchée de niveau logique canal N PXNx

04/14/2025

- MOSFET 60 V et 100 V conçus pour une gestion de l'alimentation à haut rendement dans diverses applications.

Nexperia NX5020x FET à mode d’amélioration à canal N

04/01/2025

- Les dispositifs ont une tension de seuil très faible et une commutation très rapide grâce à la technologie MOSFET à tranchée.

Nexperia MOSFET de puissance à application spécifique

01/21/2025

- Combines proven MOSFET expertise with broad application understanding to create an expanding range.

Nexperia ASFET CCPAK pour hotswap et démarrage progressif

01/08/2025

- Offers a reliable linear mode, enhanced SOA, and low RDS(on) in a single device.

Nexperia MOSFET à canal N BUK7J2R4-80M

08/30/2024

- Basé sur la technologie de grille divisée à faible valeur ohmique Trench 14 et logé dans un boîtier LFPAK56E.

Nexperia MOSFET SiC à canal N NSF0x0120

07/01/2024

- Offers superior RDS(on) temperature stability in a standard 7-pin TO-263 plastic package.

Nexperia MOSFET à canal N NextPower PSMNxRx-80YSF

06/24/2024

- MOSFET à commande de grille de niveau standard de 80 V avec un faible Qrr pour une efficacité plus élevée et un pic plus faible.

Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BSS138AK

04/04/2024

- Transistors à effet de champ (FET) à canal N en mode enrichissement qualifiés AEC-Q101 dans de petits boîtiers CMS.

Nexperia MOSFET à tranchée et canal N 2N7002AK

04/04/2024

- Petits boîtiers en plastique CMS qualifiés AEC-Q101 utilisant la technologie de MOSFET à tranchée.

Nexperia ASFET à canal N PSMN047-100NSE

04/04/2024

- L'ASFET de 100 V, 53 mΩ ASFET combine une architecture SOA améliorée dans une empreinte compacte de 2 mm x 2 mm,

Nexperia ASFET à canal N PSMN071-100NSE

02/28/2024

- Conçus pour le remplacement de relais, la gestion d’appel et les applications de gestion de batterie.

Nexperia MOSFET NextPowerS3 optimisés CEM

02/28/2024

- Logés dans des boîtiers space-Guard LFPAK56, idéaux pour les applications de commande de moteur CC brushless.

Nexperia MOSFET à canal N BUK7Y1R0-40N et BUK7Y3R1-80M

02/23/2024

- Conçu et qualifié pour répondre aux exigences AEC-Q101, fournissant de hautes performances et une haute endurance.

Nexperia MOSFET à canal N PSMN025

05/19/2023

- MOSFET à canal N de niveau standard double logé dans un boîtier LFPAK56D (Dual Power-SO8).

Nexperia MOSFET à canal N PSMN028

05/19/2023

- MOSFET à canal N de niveau standard double logé dans un boîtier LFPAK56D (Dual Power-SO8).

Nexperia MOSFET à canal N PSMN1R9 et PSMN2R3

02/27/2023

- Conçus pour des performances et une fiabilité extrêmes.

Nexperia Produits de boîtiers à montage en surface SOT23

07/26/2022

- Contenus dans un boîtier plastique à montage en surface, trois bornes, pas de 1,9 mm, 2,9 mm x 1,3 mm x 1 mm.

Nexperia Produits de boîtiers à montage en surface SOT8015

07/26/2022

- Offrent un boîtier plastique, sans fil, à faible encombrement extrêmement mince avec flancs mouillables latéraux (SWF).

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onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

04/14/2026

- Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04/07/2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E

04/06/2026

- MOSFET à canal N double conçu avec une faible Rg pour les applications à commutation rapide.

STMicroelectronics MOSFET de puissance STL059N4S8AG

03/31/2026

- Un MOSFET de puissance à canal N en mode enrichissement 40 V conçu avec la technologie Smart STRipFET F8.

Toshiba MOSFET de puissance à canal N/canal P

03/31/2026

- Idéaux pour les commutateurs à commutation rapide, les commutateurs de gestion de l'alimentation, les convertisseurs CC-CC et les entraînements à moteur.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 25 V à canal N

03/27/2026

- Performances optimisées pour les applications, permettant des performances optimales pour les centres de données, les serveurs et l'IA.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 60 V

03/27/2026

- Offrent des performances supérieures à OptiMOS 5 grâce à une technologie MOSFET de puissance robuste.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03/24/2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 8

03/17/2026

- Il s’agit de MOSFET de 80 V ou 100 V de niveau normal à canal N avec une très faible résistance à l'état passant [RDS(ON)].

onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL

03/13/2026

- Conçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées.

Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

03/06/2026

- Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V canal N

03/05/2026

- Dispositifs de canal N, de niveau normal, 80 V avec une résistance thermique supérieure dans un boîtier PG‑TDSON‑8.

iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs

02/19/2026

- Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.

IXYS MOSFET de puissance X4-Class

02/02/2026

- Ils offrent une faible résistance à l'état passant et des pertes de conduction, avec une efficacité améliorée.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12/26/2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V

12/23/2025

- Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12/19/2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085

11/25/2025

- Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.

onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

11/25/2025

- Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFET

11/24/2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

onsemi MOSFET à canal N unique NVD6824NL

11/20/2025

- Affichent une RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction et supportent des courants élevés.

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