Les plus récent(e)s MOSFET

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STMicroelectronics MOSFET de puissance STL059N4S8AG

03/31/2026

- Un MOSFET de puissance à canal N en mode enrichissement 40 V conçu avec la technologie Smart STRipFET F8.

STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh K6 à canal N

07/22/2024

- 800 V, protégés par Zener, testés à 100 % en avalanche et idéaux pour les convertisseurs Flyback et l’éclairage LED.

STMicroelectronics MOSFET de puissance STripFET F8 à canal N

12/01/2023

- Conformes à AEC-Q101, ils offrent une solution de boîtier complète de 30 V à 150 V.

STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STP80N1K1K6

10/01/2023

- Utilise la technologie MDmesh K6, en s'appuyant sur 20 années d'expérience dans le domaine de la technologie de super jonction.

STMicroelectronics MOSFET de puissance SH63N65DM6AG

08/18/2023

- Le MOSFET de puissance de topologie en demi pont canal N de classe automobile avec tension de blocage 650 V.

STMicroelectronics MOSFET STripFET à canal N 100 V STL120N10F8

05/08/2023

- Le composant utilise la technologie STripFET F8 de ST disposant d'une structure de grille en tranchée améliorée.

STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh K6 800 V 10 A STD80N450K6

01/25/2023

- MOSFET de puissance à canal N et haute tension disposant d'une protection Zener et d'une avalanche 100 %.

STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N 800 V STP80N450K6

10/19/2022

- MOSFET de puissance à canal N et haute tension conçu à l'aide de la technologie MDmesh K6 ultime.

STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STL325N4LF8AG

06/24/2022

- Utilise la technologie STRipFET F8 et présente une structure améliorée à structure de grille.

STMicroelectronics MOSFET de puissance STripFET F8 à canal N STL320N4LF8

06/21/2022

- Fabriqué selon la technologie MOSFET à tranchée STRipFET F8.

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Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 de 100 V pour l'automobile

05/27/2026

- Dispositifs à canal N de pointe, conçus pour la commutation de puissance à haut rendement.

Texas Instruments MOSFET 6 V 2N7002L à canal N

05/18/2026

- Conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en conservant des performances de commutation rapides.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

04/14/2026

- Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04/07/2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E

04/06/2026

- MOSFET à canal N double conçu avec une faible Rg pour les applications à commutation rapide.

Toshiba MOSFET de puissance à canal N/canal P

03/31/2026

- Idéaux pour les commutateurs à commutation rapide, les commutateurs de gestion de l'alimentation, les convertisseurs CC-CC et les entraînements à moteur.

STMicroelectronics MOSFET de puissance STL059N4S8AG

03/31/2026

- Un MOSFET de puissance à canal N en mode enrichissement 40 V conçu avec la technologie Smart STRipFET F8.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 25 V à canal N

03/27/2026

- Performances optimisées pour les applications, permettant des performances optimales pour les centres de données, les serveurs et l'IA.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 60 V

03/27/2026

- Offrent des performances supérieures à OptiMOS 5 grâce à une technologie MOSFET de puissance robuste.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03/24/2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 8

03/17/2026

- Il s’agit de MOSFET de 80 V ou 100 V de niveau normal à canal N avec une très faible résistance à l'état passant [RDS(ON)].

onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL

03/13/2026

- Conçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées.

Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

03/06/2026

- Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 80 V canal N

03/05/2026

- Dispositifs de canal N, de niveau normal, 80 V avec une résistance thermique supérieure dans un boîtier PG‑TDSON‑8.

iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs

02/19/2026

- Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.

IXYS MOSFET de puissance X4-Class

02/02/2026

- Ils offrent une faible résistance à l'état passant et des pertes de conduction, avec une efficacité améliorée.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12/26/2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V

12/23/2025

- Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12/19/2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

11/25/2025

- Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.

onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085

11/25/2025

- Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.

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