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Diodes Incorporated Redresseurs planaires hyper-rapides DTHP60B07PT 60 A
Diodes Incorporated Redresseurs planaires hyper-rapides DTHP60B07PT 60 A
03/13/2026
Dotés d’une tension inverse de 650 V, d’une faible chute de tension directe et d’un temps de récupération inverse ultra-rapide.
Diodes Incorporated MOSFET E-Mode à double canal N DMTH64M2LPDW
Diodes Incorporated MOSFET E-Mode à double canal N DMTH64M2LPDW
10/31/2025
Intègre deux MOSFET dans un boîtier unique PowerDI ® de 5 mm x 6 mm avec d'excellentes performances thermiques.
Diodes Incorporated Transistors à effet de champ 2N7002 de type N en mode E
Diodes Incorporated Transistors à effet de champ 2N7002 de type N en mode E
10/31/2025
Offre des performances de commutation rapides avec une faible charge de grille et une tension drain-source maximale de 60 V.
Diodes Incorporated Suppresseur de tension transitoire 5.0SMCJ1xCA 5 000 W
Diodes Incorporated Suppresseur de tension transitoire 5.0SMCJ1xCA 5 000 W
10/31/2025
Diode TVS haute puissance conçue pour protéger les circuits électroniques sensibles des pics de tension.
Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN1057UCA3
Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N DMN1057UCA3
10/21/2025
Offre des performances de commutation supérieures, ce qui est idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement.
Diodes Incorporated Redresseur à récupération rapide passivé au verre DTH1006P5
Diodes Incorporated Redresseur à récupération rapide passivé au verre DTH1006P5
10/13/2025
Redresseur de tension inverse répétitive de crête de 600 V (VRRM) en boîtier PowerDI® 5 thermiquement efficace.
Diodes Incorporated Transistors bipolaires PNP DXTP80x
Diodes Incorporated Transistors bipolaires PNP DXTP80x
09/18/2025
Les Transistors bipolaires PNP sont en boîtier PowerDI 3333-8 de petit facteur de forme et à rendement thermique élevé.
Diodes Incorporated Transistors bipolaires NPN DXTN80x
Diodes Incorporated Transistors bipolaires NPN DXTN80x
09/17/2025
Ils sont en boîtier PowerDI 3333-8 de petit facteur de forme et de haut rendement thermique, pour des produits à densité supérieure.
Diodes Incorporated Transistors bipolaires DXTN/P 78Q et 80Q
Diodes Incorporated Transistors bipolaires DXTN/P 78Q et 80Q
07/24/2025
Bénéficient de classements à 30, 60 et 100 V, avec un rendement de conduction et des performances thermiques exceptionnels.
Diodes Incorporated Redresseurs en pont TT8M 8 A en verre passivé
Diodes Incorporated Redresseurs en pont TT8M 8 A en verre passivé
05/01/2025
Présente une tension inverse de crête répétitive maximale de 1 000 V et un courant de sortie redressé moyen de 8 A.
Diodes Incorporated Diodes Schottky au carbure de silicium DSCxA065LP
Diodes Incorporated Diodes Schottky au carbure de silicium DSCxA065LP
02/20/2025
Présentent une stabilité de fuite inverse supérieure à des températures élevées dans un boîtier DFN8080.
Diodes Incorporated Transistors NPN VCE(SAT) ultra-faible de 60 V DXTN69060C
Diodes Incorporated Transistors NPN VCE(SAT) ultra-faible de 60 V DXTN69060C
11/14/2024
Dispose d'une structure exclusive pour obtenir une performance VCE (SAT) ultra-faible.
Diodes Incorporated MOSFET à mode d’amélioration à canal N DMT31M8LFVWQ 30 V
Diodes Incorporated MOSFET à mode d’amélioration à canal N DMT31M8LFVWQ 30 V
10/01/2024
Fournit une faible résistance de conduction dans un boîtier compact et thermiquement efficace.
Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N 20 V DMN2992UFA
Diodes Incorporated MOSFET à mode d'amélioration à canal N 20 V DMN2992UFA
08/01/2024
MOSFET à canal N 20 V conçu pour minimiser la RDS(ON), disponible dans un boîtier X2-DFN0806-3.
Diodes Incorporated Réseau de diode TVS à faible capacité à 2 canaux DT1042-02SRQ
Diodes Incorporated Réseau de diode TVS à faible capacité à 2 canaux DT1042-02SRQ
07/01/2024
Conçu pour protéger l’électronique sensible contre les dommages DES.
Diodes Incorporated MOSFET de puissance à canal N 1 200 V DMWSH120Hx
Diodes Incorporated MOSFET de puissance à canal N 1 200 V DMWSH120Hx
06/24/2024
Conçus pour minimiser la résistance à l'état passant et maintenir d'excellentes performances de commutation.
Diodes Incorporated Redresseurs passivés au verre SxCMHQ AEC-Q101
Diodes Incorporated Redresseurs passivés au verre SxCMHQ AEC-Q101
06/04/2024
Offrent une capacité de courant élevé et une faible chute de tension directe.
Diodes Incorporated Protecteur de bus CAN/LIN DESD24VS2SOQ de 24 V
Diodes Incorporated Protecteur de bus CAN/LIN DESD24VS2SOQ de 24 V
06/01/2024
Dispositif de protection contre les surtensions et les décharges électrostatiques (DES) emballé dans un boîtier compact SOT23 à montage en surface.
Diodes Incorporated MOSFET DMP3014SFDE de 30 V à mode d'amélioration de canal P
Diodes Incorporated MOSFET DMP3014SFDE de 30 V à mode d'amélioration de canal P
05/01/2024
Présentent de faibles résistance à l'état passant et tension de seuil de grille, tout en maintenant de bonnes performances de commutation.
Diodes Incorporated Transistor à moyenne puissance PNP 80 V BC53-16PAWQ
Diodes Incorporated Transistor à moyenne puissance PNP 80 V BC53-16PAWQ
05/01/2024
Disponible dans un boîtier compact DFN2020-3 dont l'empreinte est 50 % plus petite qu'un boîtier SOT-23.
Diodes Incorporated DMT26M0LDG MOSFET asymétriques à double canal N
Diodes Incorporated DMT26M0LDG MOSFET asymétriques à double canal N
04/01/2024
Conçus pour minimiser la résistance à l’état passant [RDS(ON)] tout en maintenant des performances de commutation supérieures.
Diodes Incorporated Redresseur ultra-rapide US1NDFQ 1 A à montage en surface
Diodes Incorporated Redresseur ultra-rapide US1NDFQ 1 A à montage en surface
03/01/2024
Il offre un temps de récupération ultra-rapide pour un rendement élevé dans les applications de redressement général.
Diodes Incorporated MOSFET en mode amélioration à double canal P DMP68D1LV
Diodes Incorporated MOSFET en mode amélioration à double canal P DMP68D1LV
01/01/2024
Offre une faible résistance à l’état passant et une faible capacité d’entrée, tout en maintenant des performances de commutation supérieures.
Diodes Incorporated Diode TVS bidirectionnelle DESDxxVxS2UTQ à 2 canaux
Diodes Incorporated Diode TVS bidirectionnelle DESDxxVxS2UTQ à 2 canaux
01/01/2024
Conçue pour protéger l'électronique sensible des dommages causés par les DES.
Diodes Incorporated MOSFET de puissance SiC à canal N 1 200 V DMWS120H100SM4
Diodes Incorporated MOSFET de puissance SiC à canal N 1 200 V DMWS120H100SM4
06/02/2023
Conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation supérieures.
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    Vishay MOSFET à canal N 750 V MaxSiC ® MXP075
    Vishay MOSFET à canal N 750 V MaxSiC ® MXP075
    06/19/2026
    Présente une tension drain-source de 750 V, une vitesse de commutation rapide et un temps de tenue aux courts-circuits de 3 μs.
    Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
    Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
    06/18/2026
    Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.
    Infineon Technologies Modules EasyPACK™ S
    Infineon Technologies Modules EasyPACK™ S
    06/12/2026
    Conversion d'énergie efficace dans un boîtier compact et facile à intégrer, conçu pour les conceptions d'alimentation modernes.
    Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 de 100 V pour l'automobile
    Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 de 100 V pour l'automobile
    05/27/2026
    Dispositifs à canal N de pointe, conçus pour la commutation de puissance à haut rendement.
    Texas Instruments MOSFET 6 V 2N7002L à canal N
    Texas Instruments MOSFET 6 V 2N7002L à canal N
    05/18/2026
    Conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en conservant des performances de commutation rapides.
    Bourns Diode TVS à montage en surface CDSOT23-SM712-Q
    Bourns Diode TVS à montage en surface CDSOT23-SM712-Q
    05/12/2026
    Fournit une protection pour les ports de données conformément aux normes IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4 et IEC 61000-4-5.
    Infineon Technologies Modules d'alimentation CIPOS™ Prime automobiles CoolSiC™
    Infineon Technologies Modules d'alimentation CIPOS™ Prime automobiles CoolSiC™
    05/06/2026
    Les modules d'alimentation sont conçus pour une haute performance dans les applications xEV .
    Littelfuse Diodes TVS AK-FL
    Littelfuse Diodes TVS AK-FL
    05/04/2026
    Diodes TVS bidirectionnelles FlatSuppressX™ à tension de serrage faible et stable, avec pattes axiales.
    Littelfuse Diodes TVS FlatSuppressX™ TP5.0SMD-FL
    Littelfuse Diodes TVS FlatSuppressX™ TP5.0SMD-FL
    05/04/2026
    Puissance d'impulsion de crête de 5000 W avec une forme d'onde de 10/1000 µs et dissipation de puissance de 6,5 W.
    Littelfuse Diodes TVS FlatSuppressX™ TP1KSMB-FL
    Littelfuse Diodes TVS FlatSuppressX™ TP1KSMB-FL
    05/04/2026
    Spécialement conçues pour protéger les équipements électroniques sensibles contre les surtensions transitoires.
    RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions
    RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions
    04/24/2026
    Features components ideal for energy, industrial, and medical applications.
    Littelfuse TRIAC alternistors haute température QVx35xHx
    Littelfuse TRIAC alternistors haute température QVx35xHx
    04/24/2026
    Offre un courant nominal de 35 A et est disponible dans les boîtiers TO-220A, TO-220 isolés et TO-263.
    Littelfuse SCR haute température SJx08x
    Littelfuse SCR haute température SJx08x
    04/24/2026
    Tension jusqu'à 800 V, capacité de courant de surtension jusqu'à 100 A et une température nominale de +150°C.
    Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
    Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
    04/16/2026
    Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.
    onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X
    onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X
    04/14/2026
    Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.
    ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC
    ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC
    04/10/2026
    Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.
    Vishay Redresseurs à récupération rapide RS07x
    Vishay Redresseurs à récupération rapide RS07x
    04/07/2026
    Redresseurs à montage en surface et passivés au verre avec une VRRM maximale comprise entre 100 V et 800 V.
    Vishay Redresseurs haute tension à récupération standard S07x-M
    Vishay Redresseurs haute tension à récupération standard S07x-M
    04/07/2026
    Redresseurs à montage en surface et passivés au verre avec une VRRM maximale comprise entre 100 V et 1 000 V.
    iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    04/07/2026
    Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
    onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E
    onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E
    04/06/2026
    MOSFET à canal N double conçu avec une faible Rg pour les applications à commutation rapide.
    Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
    Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
    04/02/2026
    AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.
    Vishay Module MOSFET de puissance VS-HOT200C080 de 200 A et 80 V
    Vishay Module MOSFET de puissance VS-HOT200C080 de 200 A et 80 V
    04/02/2026
    Ce dispositif réduit les exigences d’espace de la carte jusqu’à 15 % par rapport aux solutions discrètes standard.
    Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
    Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
    04/02/2026
    High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.
    STMicroelectronics MOSFET de puissance STL059N4S8AG
    STMicroelectronics MOSFET de puissance STL059N4S8AG
    03/31/2026
    Un MOSFET de puissance à canal N en mode enrichissement 40 V conçu avec la technologie Smart STRipFET F8.
    Toshiba MOSFET de puissance à canal N/canal P
    Toshiba MOSFET de puissance à canal N/canal P
    03/31/2026
    Idéaux pour les commutateurs à commutation rapide, les commutateurs de gestion de l'alimentation, les convertisseurs CC-CC et les entraînements à moteur.    
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