STMicroelectronics Les plus récent(e)s FET GaN

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STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
12/04/2025
Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO
11/07/2025
Construit sur la technologie GaN et conçu pour des applications exigeantes de conversion d'énergie.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT350R70GTK
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT350R70GTK
10/28/2025
Le transistor E-Mode PowerGaN optimisé pour une conversion d’énergie efficace dans des applications exigeantes.
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Renesas Electronics Commutateur bidirectionnel (BDS) TP65B110HRU
Renesas Electronics Commutateur bidirectionnel (BDS) TP65B110HRU
03/20/2026
à semi-conducteur de nitrure de gallium (GaN) de 650 V et 110 mΩ normalement désactivé dans un boîtier compact TOLT.
Infineon Technologies Medium-Voltage CoolGaN™ Bidirectional Switches
Infineon Technologies Medium-Voltage CoolGaN™ Bidirectional Switches
03/17/2026
These devices are a great fit for serving as battery disconnect switches in various applications.
Qorvo HEMT Gan/Sic de 300 W QPD2560L
Qorvo HEMT Gan/Sic de 300 W QPD2560L
03/09/2026
Conçu pour des applications exigeantes en bande L, fonctionnant dans la gamme de fréquences de 1,0 GHz à 1,5 GHz.
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03/05/2026
Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.
EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03/05/2026
Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.
EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03/05/2026
Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.
Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
02/26/2026
Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.
Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02/26/2026
Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.
Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02/26/2026
Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.
Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A
Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A
01/20/2026
Transistors discrets HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P 3dB), et fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.
Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A
Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A
01/19/2026
Transistor HEMT discret technologie GaN-sur-SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P3 dB), fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.
Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A
Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A
01/19/2026
Le transistor discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC), 25 W, avec adaptation d'entrée 50 Ω, fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation de 50 V.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
12/04/2025
Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO
11/07/2025
Construit sur la technologie GaN et conçu pour des applications exigeantes de conversion d'énergie.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT350R70GTK
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT350R70GTK
10/28/2025
Le transistor E-Mode PowerGaN optimisé pour une conversion d’énergie efficace dans des applications exigeantes.
Guerrilla RF GRFx GaN HEMT Power Transistors
Guerrilla RF GRFx GaN HEMT Power Transistors
08/18/2025
Unmatched discrete GaN-on-SiC HEMT power transistors designed for high-performance RF applications.
Nexperia FET GaN 100 V GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8
Nexperia FET GaN 100 V GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8
07/03/2025
Dispositifs normalement hors tension qui offrent des performances supérieures et une très faible résistance à l'état passant.
Nexperia HEMT GaN GANB1R2-040QBA et GANB012-040CBA
Nexperia HEMT GaN GANB1R2-040QBA et GANB012-040CBA
07/03/2025
HEMT (transistors à haute mobilité d'électrons) en nitrure de gallium (GaN) bidirectionnels, 40 V, 1,2 mΩ ou 12 mΩ.
Renesas Electronics FET GaN 650 V 30 mΩ TP65H030G4Px
Renesas Electronics FET GaN 650 V 30 mΩ TP65H030G4Px
07/01/2025
Ces FET sont disponibles dans des boîtiers TOLT, TO247 et TOLL et utilisent la plateforme SuperGaN® Gen IV.
Infineon Technologies Transistors de puissance CoolGaN™ G5 700 V
Infineon Technologies Transistors de puissance CoolGaN™ G5 700 V
05/02/2025
Conçus pour fonctionner à des fréquences élevées avec une efficacité supérieure, permettant une commutation ultra-rapide.
Nexperia FET GaN bidirectionnel GANB8R0-040CBA
Nexperia FET GaN bidirectionnel GANB8R0-040CBA
04/14/2025
HEMT GaN bidirectionnel 40 V, 8,0 mΩ logé dans un boîtier WLCSP compact de 1,7 mm x 1,7 mm.
Infineon Technologies Transistors CoolGaN™ G3
Infineon Technologies Transistors CoolGaN™ G3
04/10/2025
conçus pour fournir des performances supérieures dans les applications à haute densité de puissance.
ROHM Semiconductor Les HEMT GaN à mode d'amélioration de 650 V GNP2x
ROHM Semiconductor Les HEMT GaN à mode d'amélioration de 650 V GNP2x
01/10/2025
Conçus pour des applications de conversion d'énergie haute performance.
Infineon Technologies Transistors G5 CoolGaN™ de 650 V
Infineon Technologies Transistors G5 CoolGaN™ de 650 V
12/20/2024
Présente une technologie de transistor en nitrure de gallium (GaN) hautement efficace pour la conversion d’énergie.
MACOM GaN on SiC Transistors
MACOM GaN on SiC Transistors
11/26/2024
Next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power. 
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