STMicroelectronics Les plus récent(e)s FET GaN

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STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
12/04/2025
Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO
11/07/2025
Construit sur la technologie GaN et conçu pour des applications exigeantes de conversion d'énergie.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT350R70GTK
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT350R70GTK
10/28/2025
Le transistor E-Mode PowerGaN optimisé pour une conversion d’énergie efficace dans des applications exigeantes.
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Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A
Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A
01/20/2026
Transistors discrets HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P 3dB), et fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.
Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A
Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A
01/19/2026
Transistor HEMT discret technologie GaN-sur-SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P3 dB), fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.
Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A
Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A
01/19/2026
Le transistor discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC), 25 W, avec adaptation d'entrée 50 Ω, fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation de 50 V.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
12/04/2025
Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO
11/07/2025
Construit sur la technologie GaN et conçu pour des applications exigeantes de conversion d'énergie.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT350R70GTK
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT350R70GTK
10/28/2025
Le transistor E-Mode PowerGaN optimisé pour une conversion d’énergie efficace dans des applications exigeantes.
Guerrilla RF GRFx GaN HEMT Power Transistors
Guerrilla RF GRFx GaN HEMT Power Transistors
08/18/2025
Unmatched discrete GaN-on-SiC HEMT power transistors designed for high-performance RF applications.
Nexperia FET GaN 100 V GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8
Nexperia FET GaN 100 V GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8
07/03/2025
Dispositifs normalement hors tension qui offrent des performances supérieures et une très faible résistance à l'état passant.
Nexperia HEMT GaN GANB1R2-040QBA et GANB012-040CBA
Nexperia HEMT GaN GANB1R2-040QBA et GANB012-040CBA
07/03/2025
HEMT (transistors à haute mobilité d'électrons) en nitrure de gallium (GaN) bidirectionnels, 40 V, 1,2 mΩ ou 12 mΩ.
Renesas Electronics FET GaN 650 V 30 mΩ TP65H030G4Px
Renesas Electronics FET GaN 650 V 30 mΩ TP65H030G4Px
07/01/2025
Ces FET sont disponibles dans des boîtiers TOLT, TO247 et TOLL et utilisent la plateforme SuperGaN® Gen IV.
Infineon Technologies Transistors de puissance CoolGaN™ G5 700 V
Infineon Technologies Transistors de puissance CoolGaN™ G5 700 V
05/02/2025
Conçus pour fonctionner à des fréquences élevées avec une efficacité supérieure, permettant une commutation ultra-rapide.
Nexperia FET GaN bidirectionnel GANB8R0-040CBA
Nexperia FET GaN bidirectionnel GANB8R0-040CBA
04/14/2025
HEMT GaN bidirectionnel 40 V, 8,0 mΩ logé dans un boîtier WLCSP compact de 1,7 mm x 1,7 mm.
Infineon Technologies Transistors CoolGaN™ G3
Infineon Technologies Transistors CoolGaN™ G3
04/10/2025
conçus pour fournir des performances supérieures dans les applications à haute densité de puissance.
ROHM Semiconductor HEMT GaN GNP2x 650 V en mode d’amélioration
ROHM Semiconductor HEMT GaN GNP2x 650 V en mode d’amélioration
01/10/2025
Conçus pour des applications de conversion d’énergie de haute performance.
Infineon Technologies Transistors G5 CoolGaN™ de 650 V
Infineon Technologies Transistors G5 CoolGaN™ de 650 V
12/20/2024
Présente une technologie de transistor en nitrure de gallium (GaN) hautement efficace pour la conversion d’énergie.
MACOM GaN on SiC Transistors
MACOM GaN on SiC Transistors
11/26/2024
Next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power. 
Infineon Technologies Transistors de puissance CoolGaN™ Gen 2 650 V
Infineon Technologies Transistors de puissance CoolGaN™ Gen 2 650 V
11/12/2024
Dotés d'une technologie de transistor GaN (nitrure de gallium) hautement efficace pour la conversion d'énergie jusqu'à 650 V.
Nexperia FET GaN bidirectionnel GANB4R8-040CBA
Nexperia FET GaN bidirectionnel GANB4R8-040CBA
10/01/2024
Un transistor à haute mobilité électronique bipolaire (HEMT) GaN bidirectionnel de 40 V, 4,8 mΩ dans un boîtier WLCSP.
Qorvo Transistors de puissance RF au GaN QPD1035
Qorvo Transistors de puissance RF au GaN QPD1035
09/12/2024
HEMT discrets au nitrure de gallium (GaN) sur carbure de silicium (SiC) de 40 W fonctionnant avec du CC à 6 GHz avec une alimentation de 50 V.
Ampleon CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor
Ampleon CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor
07/23/2024
Designed for continuous wave (CW) applications within the 2400MHz to 2500MHz frequency range.
Nexperia FET au nitrure de gallium (GaN) GANE3R9-150QBA
Nexperia FET au nitrure de gallium (GaN) GANE3R9-150QBA
07/02/2024
Un FET au nitrure de gallium (GaN) à usage général de 150 V, 3,9 mΩ dans un boîtier VQFN.
Infineon Technologies Transistors de puissance CoolGaN™ G4 700 V
Infineon Technologies Transistors de puissance CoolGaN™ G4 700 V
05/27/2024
Conçus avec une faible Rth(j-c) pour des applications haute puissance et une commutation de puissance très efficace.
Renesas Electronics Dispositif FET SuperGaN® 650 V TP65H050G4YS
Renesas Electronics Dispositif FET SuperGaN® 650 V TP65H050G4YS
03/15/2024
Dispositif à semi-conducteur à nitrure de gallium (GaN) de 50 mΩ normalement bloqué, disponible dans un boîtier TO-247 à 4 broches.
Renesas Electronics FET SuperGaN® TP65H070G4RS 650 V boîtier TOLT
Renesas Electronics FET SuperGaN® TP65H070G4RS 650 V boîtier TOLT
02/22/2024
72 mΩ RDS(on)dans un boîtier TOLT à montage en surface et refroidissement par le haut conforme à la norme JEDEC (MO-332).
Nexperia FET GAN de puissance GaN en boîtier CCPA1212 GAN039
Nexperia FET GAN de puissance GaN en boîtier CCPA1212 GAN039
12/20/2023
Technologie de boîtier à pince en cuivre avec de faibles inductances/pertes de commutation et une haute fiabilité.
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