STMicroelectronics FET GaN

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal
STMicroelectronics FET GaN 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor 711En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT DPAK-3 700 V 6 A 350 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement
STMicroelectronics FET GaN 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor 327En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 800

SMD/SMT TO-LL-11 700 V 26 A 70 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement
STMicroelectronics FET GaN 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
1 00008/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
STMicroelectronics FET GaN 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor Non stocké
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 21.7 A 105 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement
STMicroelectronics FET GaN 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor Non stocké
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 17 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
STMicroelectronics FET GaN 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor Non stocké
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 11.5 A 190 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement
STMicroelectronics FET GaN 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor Non stocké
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement
STMicroelectronics FET GaN 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor Délai de livraison 62 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 65 mOhms + 6 V 1.8 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 305 W