Taiwan Semiconductor FET GaN

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Mode canal
Taiwan Semiconductor FET GaN 650V, 11A, PDFN56, E-mode GaN Transistor
Fiche technique
2 993En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.6 V 2.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Taiwan Semiconductor FET GaN 650V, 11A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
Fiche technique
2 960En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 195 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Taiwan Semiconductor FET GaN 650V, 30A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 30 Semaines
Min. : 9 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000

SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 68 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 6.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Taiwan Semiconductor FET GaN 650V, 18A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 30 Semaines
Min. : 9 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000

SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 110 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 4 nC - 55 C + 150 C Enhancement