Infineon Technologies MOSFET de puissance StrongIRFET™ de 100 V à 150 V
Les MOSFET de puissance 100 V à 150 V StrongIRFET™ d' Infineon Technologies sont optimisés pour une capacité à faible résistance à l'état passant (RDS(on)) et de courant élevé. Ces dispositifs offrent un RDS(on) aussi bas que 1,3 mΩ à 100 V et une capacité de traitement du courant aussi élevée que 209 A à 100 V. Ces caractéristiques se traduisent par une réduction des pertes de conduction et une augmentation de la densité de puissance tout en permettant toujours l'intégration des conceptions héritées. Les MOSFET de puissance StrongIRFET™ sont idéaux pour les applications à basse fréquence nécessitant performance et robustesse. Le portefeuille complet couvre un large éventail d'applications, notamment les moteurs CC, les systèmes de gestion de batterie, les onduleurs et les convertisseurs CC-CC.Les MOSFET de puissance StrongIRFET™ de Infineon Technologies de 100 V à 150 V sont proposés dans un boîtier TO-247 aux normes de l'industrie avec une large plage de température de fonctionnement de -55 °C à +175 °C.
Caractéristiques
- RDS(on) aussi bas que 1,3 mΩ à 100 V
- Capacité de transport de courant aussi élevée que 209 A à 100 V
- Tension drain-source de 100 V et 150 V
- Qualification du produit selon la norme JEDEC
- Capacité et SOA d'avalanche complètement caractérisés
- Robustesse élevée de la grille, avalanche et de la dynamique dV/dt
- Amélioration des capacités dV/dt et dI/dt de la diode intégrée
- Large plage de température de fonctionnement de -55 °C à +175 °C.
- Le boîtier TO-247 aux normes de l'industrie permet un remplacement direct
Applications
- Alimentation sans interruption (ASI)
- Inverseurs solaires
- Amplificateurs audio classe D
- Alimentations à découpage (SMPS)
- Entraînements de moteurs à balais et BLDC
- Circuits alimentés par batterie
Caractéristiques techniques
Circuit d'application standard
Profil du boîtier
Publié le: 2022-09-21
| Mis à jour le: 2022-09-22
