Infineon Technologies HEMT au nitrure de gallium CoolGaN™

Les HEMT au nitrure de gallium CoolGaN™ Infineon offrent d'excellents avantages dont un niveau supérieur de rendement, de fiabilité, de densité de puissance et la plus haute qualité sur silicium. Les transistors CoolGaN sont construits sur la technologie la plus fiable, conçue pour donner le plus haut rendement et la plus haute densité de puissance dans les sources d'alimentation en mode commutation. Les composants fonctionnent de façon similaire aux MOSFET au silicium avec une polarisation pilote de grille à mode amélioré utilisant une structure de grille p-GaN.

La qualité CoolGaN d'Infineon est idéale pour les topologies à commutation souple et difficile. CoolGaN permet l'adaptation de topologies en demi-pont les plus simples pour PFC, notamment l'élimination du redresseur en pont d'entrée à perte. Les HEMT CoolGaN fournissent un plus grand champ électrique critique pour les dispositifs semi-conducteurs de puissance permettant une excellente commutation à grande vitesse.

Caractéristiques

Excellent facteur de mérite des dispositifs de puissance de 600 V
Excellent pour les topologies à commutation souple et difficile
Possible augmentation triple de la densité de puissance
Optimisé pour la mise en marche et l'arrêt
Nouvelles topologies et modulation de courant
Commutation rapide (et presque sans perte)
Densité de puissance plus élevée qui permet des conceptions compactes et légères
Technologie pour des solutions innovantes et des volumes élevés
RDS(on) très faible et grand potentiel de cost-down
Rendement maximal pour SMPS

Aucune charge inverse de récupération
Par rapport à la technologie Si :
- Champ de claquage 10 fois plus élevé et mobilité 2 fois plus élevée
- Charge de sortie 10 fois inférieure
- Charge de grille 10 fois inférieure et caractéristique linéaire CoSS
Boîtier à montage en surface garantit que les capacités de commutation du GaN sont entièrement accessibles
Facile à utiliser avec un portefeuille CI pilote convaincante