Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 canal N
Les MOSFET de puissance à canal N OptiMOS™ 7 d'Infineon Technologies sont des transistors à canal N haute performance conçus pour les applications de conversion d'énergie exigeantes. Ces MOSFET offrent une résistance en conduction très faible, une résistance thermique supérieure et un excellent rapport Miller pour une robustesse dv/dt. Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 sont optimisés pour les topologies de commutation dure et douce, ainsi que pour les FOMoss. Ces MOSFET sont 100 % testés en mode avalanche et sont conforme à la directive RoHS. Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 sont sans halogène conformément à la norme CEI61249‑2‑21.
Caractéristiques
- Très faible résistance à l’état passant RDS(on)
- Résistance thermique supérieure
- Optimisés pour les topologies de commutation dure/douce
- Optimisés pour FOMoss
- 100 % testé en avalanche
- Sans halogène selon la norme IEC61249‑2‑21
- Placage de fils sans plomb
- Conforme à la directive RoHS
Produits associés
Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs
Ultra low gate and output charges with lowest on state resistance in small footprint packages.
Publié le: 2025-09-24
| Mis à jour le: 2025-11-03