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Littelfuse MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium (SiC) 1 200 V IXSJxN120R1 de Littelfuse sont des dispositifs haute performance conçus pour des applications de conversion d'énergie exigeantes. Les MOSFET IXSJxN120R1 de Littelfuse tirent parti des propriétés supérieures de la technologie SiC pour offrir de faibles pertes de commutation, une haute efficacité et une excellente performance thermique. Le IXSJ25N120R1 offre un RDS(on) standard de 80 mΩ et est optimisé pour des applications à faible courant, tandis que les IXSJ43N120R1 et IXSJ80N120R1 offrent des valeurs de résistance à l'état passant plus faibles, respectivement de 45 mΩ et 20 mΩ, prenant en charge des capacités de gestion de courant plus élevées. Les trois dispositifs se caractérisent par des vitesses de commutation rapides, une capacité d'avalanche robuste et une broche source Kelvin pour un contrôle amélioré de la commande de grille. Ces caractéristiques rendent la série IXSJxN120R1 idéale pour une utilisation dans les convertisseurs de véhicules électriques, les convertisseurs solaires, les entraînements à moteur industriels et les alimentations électriques à haute efficacité.

Caractéristiques

  • Tension de blocage pouvant atteindre 1 200 V avec des options de faible RDS(on) de 18 mΩ, 36 mΩ ou 62 mΩ
  • Options de faible charge de grille (52 nC, 79 nC ou 154 nC)
  • Options de faible capacité d'entrée (1 498 pF, 2 453 pF ou 4 522 pF)
  • Plage de tension de grille flexible (de 15 V à 18 V) et tension de grille d'extinction recommandée de 0 V
  • Petites pertes de conduction et dissipation de chaleur réduite
  • Besoins d'alimentation de faible puissance de la grille
  • Prend en charge la commutation à haute vitesse avec des pertes de commande de grille réduites
  • Boîtier ISO247-3L
    • Le boîtier isolé à base de céramique haute performance améliore la résistance thermique globale Rth(j-h) et la capacité de gestion de puissance
    • Tension d'isolation de 2 500 VCA (RMS) pendant 1 minute
    • EMI réduite attribuée à la petite capacité parasite de la puce au dissipateur thermique
    • Boîtier conforme à la norme industrielle

Applications

  • Infrastructures de chargement EV
  • Convertisseurs solaires
  • Sources d’alimentation en mode commutable
  • Systèmes d’alimentation sans coupure
  • Entraînements à moteur
  • Convertisseurs CC/CC
  • Chargeurs de batteries
  • Chauffage par induction
  • Applications à haute fréquence

Fiche technique

  • MOSFET de puissance SiC 1 200 V, 62 mΩ, 28 A IXSJ25N120R1
  • MOSFET de puissance SiC 1 200 V, 36 mΩ, 45 A IXSJ43N120R1
  • MOSFET de puissance SiC 1 200 V, 18 mΩ, 85 A IXSJ80N120R1

Schéma de brochage

Plan mécanique - Littelfuse MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1

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IXYS MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1K

Tension de blocage pouvant atteindre 1 200 V avec une faible RDS(on) de 18 mΩ ou 36 mΩ.

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Publié le: 2025-06-17 | Mis à jour le: 2026-01-06