Renesas Electronics Kit d'évaluation RTDACHB0000RS-MF-1
Le kit d’évaluation RTDACHB0000RS-MF-1 de Renesas Electronics prend en charge une expérimentation flexible avecla modulation et le fonctionnement GaN BDS. Ce kit propose des composants essentiels tels que GaN BDS (TP65B110HRU), des microcontrôleurs (MCU) et un amplificateur opérationnel (OpAmp). Le kit d’évaluation RTDACHB0000RS-MF-1 fournit une configuration GaN en demi-pont qui sert de bloc de construction pour de multiples topologies de puissance. Ce kit offre plusieurs options pour piloter le HB, y compris la génération de signaux PWM par microcontrôleur MCU et de signaux PWM transmis par l’utilisateur. Le kit d’évaluation RTDACHB0000RS-MF-1 intègre une fonction de détection du passage à zéro du courant alternatif et un mode de commutation douce ZVS.
Caractéristiques
- Configuration de commutateur bidirectionnel (BDS) à demi-pont en nitrure de gallium (GaN)
- Plusieurs options pour piloter l’HB :
- Génération PWM basée sur un microcontrôleur
- Signaux PWM transmis par l’utilisateur
- Plateforme flexible pour expérimenter la modulation et l’exploitation BDS GaN
- Détection du passage par zéro de tension CA sur carte
- Fonctionnement en commutation douce ZVS
Présentation de la carte
Schéma du circuit d’application
BDS connexes
Renesas Electronics Commutateur bidirectionnel (BDS) TP65B110HRU
à semi-conducteur de nitrure de gallium (GaN) de 650 V et 110 mΩ normalement désactivé dans un boîtier compact TOLT.
Publié le: 2026-03-16
| Mis à jour le: 2026-03-20