Retour à Renesas Electronics

Renesas Electronics Dispositif FET SuperGaN® 650 V TP65H050G4YS

Le dispositif FET SuperGaN® 650 V TP65H050G4YS de Renesas Electronics est un dispositif à semi-conducteur à nitrure de gallium (GaN) de 50 mΩ normalement bloqué, disponible dans un boîtier TO-247 à 4 broches. Ce FET SuperGaN Gen IV implémente la plateforme Gen IV qui prend en charge des technologies avancées d'épitaxie et de conceptions brevetées pour simplifier la fabricabilité. Le FET de 650 V TP65H050G4YS combine un HEMT GaN haute tension de pointe avec un MOSFET silicium basse tension pour une fiabilité et une performance supérieure. Ce FET SuperGaN améliore l'efficacité par rapport au silicium grâce à une charge de grille, une capacité de sortie, une perte de croisement et une charge de récupération inverse inférieures. Les applications typiques incluent les datacom industrielles générales, les convertisseurs photovoltaïques et les servomoteurs.

Caractéristiques

  • Technologie GaN certifiée JEDEC
  • Production de RDS(on)eff dynamique testée
  • Conception robuste, définie par :
    • Marge de sécurité de la grille large
    • Capacité de surtension transitoire
  • Capacité de courant d'appel améliorée
  • QRR très bas
  • Perte de croisement réduite
  • Permet les conceptions de PFC en architecture pôle totem sans pont CA-CC :
    • Densité de puissance accrue
    • Système de taille et poids réduits
    • Coût global du système réduit
  • Permet d'obtenir une efficacité accrue dans des circuits à commutation dure et douce
  • Facilité de commande avec les commandes de grilles couramment utilisées
  • La disposition des broches GSD améliore la conception à haute vitesse

Caractéristiques techniques

  • Tension drain à source VDSS de 650 V
  • Tension drain à source VDSS(TR) transitoire de 800 V
  • Tension grille à source VGSS de ±20 V
  • Puissance dissipable admissible (PD) de 132 W à TC = 25 °C
  • Courant de drain continu (ID)
    • 35 A à TC = 25 °C
    • 22 A à TC = 100 °C
  • Courant de drain pulsé IDM de 150 A (largeur d'impulsion : 10 µs)
  • Plage de tension de seuil de grille VGS de 3,3 V à 4,8 V (VDS=VGS, ID=0,7 mA)
  • Drain/source sur résistance :
    • De 50 mΩ à 60 mΩ (VGS=10 V, ID=22 A)
    • 105 mΩ (VGS=10 V, ID=22 A, TJ=150 °C)
  • Capacité standard (VGS=0 V, VDS=400 V, f=1 MHz) :
    • Entrée 1 000 pF
    • Sortie 110 pF 
    • Transfert inverse de 2,7 pF 
  • Charge (VDS=400 V, VGS=0 V à 10 V, ID=6,5 A) :
    • Charge de grille totale de 16 nC à 24 nC
    • Charge de grille source de 6 nC
    • Charge de grille-drain de 5 nC
  • Charge de sortie de 112 nC (VGS = 0 V, VDS = 0 V à 400 V)
  • Plage fréquence de fontionnement de 50 kHz à 100 kHz

Applications

  • Datacom
  • Large application industrielle
  • Convertisseur photovoltaïque
  • Servomoteurs

Mise en œuvre de circuit

Schéma - Renesas Electronics Dispositif FET SuperGaN® 650 V TP65H050G4YS

Produits associés

Renesas Electronics MOSFET GaN de 650 V, 34 A

Les dispositifs normalement désactivés, basés sur une plateforme de 4ème génération (Gen IV), combinent un HEMT GaN haute tension et un MOSFET silicium basse tension.

Learn Moreà propos de Renesas Electronics MOSFET GaN de 650 V, 34 A View Productslié à Renesas Electronics MOSFET GaN de 650 V, 34 A

Renesas Electronics FET SuperGaN® TP65H070G4RS 650 V boîtier TOLT

72 mΩ RDS(on)dans un boîtier TOLT à montage en surface et refroidissement par le haut conforme à la norme JEDEC (MO-332).

Learn Moreà propos de Renesas Electronics FET SuperGaN® TP65H070G4RS 650 V boîtier TOLT View Productslié à Renesas Electronics FET SuperGaN® TP65H070G4RS 650 V boîtier TOLT

Renesas Electronics FET GaN SuperGaN® de 650 V TP65H070G4PS

Un dispositif 650 V normalement éteint de 70 mΩ offrant une qualité et des performances supérieures.

Learn Moreà propos de Renesas Electronics FET GaN SuperGaN® de 650 V TP65H070G4PS View Productslié à Renesas Electronics FET GaN SuperGaN® de 650 V TP65H070G4PS

Ressources supplémentaires

Publié le: 2024-02-28 | Mis à jour le: 2025-06-05