ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal N RF4L070BG
Le MOSFET de puissance à canal N RF4L070BG de ROHM Semiconductor est un MOSFET de 60,0 V et 7,0 A disposant d'une faible résistance à l'état passant de 27,0 mΩ, ce qui le rend idéal pour les applications de commutation. Le RF4L070BG dispose d'un temps de récupération inverse de 25,0 ns (standard) et d'une charge de récupération inverse de 22,0 nC (standard). La dissipation d'énergie pour le composant est de 2,0 W et dispose d'une large plage de température de jonction et de stockage de fonctionnement de -55 ℃ à +150 ºC.
Le MOSFET de puissance à canal N RF4L070BG de ROHM Semiconductor est disponible en boîtier DFN2020-8S (HUML2020L8) à haute puissance et petit moulage de 2,0 mm x 2,0 mm, idéal pour les applications à espace restreint.
Caractéristiques
- Faible résistance à l'état passant (RDS(on)) de 27,0 mΩ
- Tension drain-source (VDSS) de 60 V
- Courant de drain (ID) continu ±7,0 A
- Courant de drain pulsé (IDP) +28,0 A
- Tension grille-source (VGSS) +20 V
- Courant d'avalanche de 7,0 A, impulsion simple (IAS)
- Énergie d'avalanche de 4,0 mJ, impulsion simple (EAS)
- Dissipation d'énergie (PD) 2,0 W
- Temps de récupération inverse (trr) de 25,0 ns
- Charge de récupération inverse (Qrr) 22,0 nC
- Plage de température de jonction et de stockage : de -55 °C à +150 °C
- Boîtier DFN2020-8S (HUML2020L8) de 2,0 mm x 2,0 mm
- Placage sans plomb
- Sans halogène et conforme à la directive RoHS
Applications
- Tension
Produits associés
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MOSFET 40 V, 10 A avec une faible résistance à l'état passant de 14,2 mΩ, ce qui le rend idéal pour les applications de commutation.
Désignations des broches et circuit interne
Profil du boîtier
Publié le: 2021-11-29
| Mis à jour le: 2022-03-11