STMicroelectronics IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée série 650 V HB
Les IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée série HB 650 V STMicroelectronics sont des IGBT développés à l'aide d'une structure exclusive avancée de grille en tranchée et d'arrêt de champ. Ces dispositifs représentent le meilleur compromis entre les pertes de conduction et de commutation afin d'optimiser le rendement de tous les convertisseurs de fréquence. Grâce à la technologie de pointe d'arrêt de champ et de grille en tranchée haut débit de ST, ces IGBT ont une terminaison de coupure de courant au collecteur minimale et une faible tension de saturation (Vce(sat)) jusqu'à 1,6 V (standard), ce qui réduit les pertes d'énergie au moment de la mise en marche et de la commutation. De plus, un coefficient de température VCE(sat) légèrement positif et une distribution très étroite des paramètres entraînent un fonctionnement parallèle plus sûr.The HB2 series is an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behavior at low current values, and in terms of reduced switching energy. A diode used for protection purposes only is co-packaged in antiparallel with the IGBT. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast applications.
Caractéristiques
- Maximum junction temperature:
- TJ = 175°C
- High-speed switching series
- Minimized tail current
- Very low saturation voltage
- Tight parameters distribution
- Safe paralleling
- Low thermal resistance
- Very fast soft recovery anti-parallel diode
- Lead-free package
Applications
- Photovoltaic inverters
- High frequency converters
Catalogues de produits
Publié le: 2014-03-31
| Mis à jour le: 2026-01-12
