STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh DM9 STP60N043DM9
Le MOSFET de puissance MDmesh DM9 STP60N043DM9 de STMicroelectronics est conçu pour les MOSFET moyenne/haute tension disposant d'une très faible RDS(on) par zone, associée à une diode à récupération rapide. Le dispositif met en œuvre une technologie de super-jonction innovante MDmesh DM9 offrant un processus de fabrication multi-drain qui permet une structure de dispositif améliorée.
Le MOSFET de puissance MDmesh DM9 STP60N043DM9 de STM dispose d'une charge de récupération (Qrr), d'un temps (trr) et d'un RDS(on) très faibles. Ces caractéristiques personnalisent le MOSFET de puissance à super-jonction et commutation rapide pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
Caractéristiques
- Diode de corps à récupération rapide
- Excellent RDS(on) par zone pour des dispositifs à récupération rapide à base de silicium
- Faible charge de grille, capacité d'entrée et résistance
- Testé à 100 % en mode avalanche
- Extrême robustesse dv/dt
Applications
- Alimentations et convertisseurs
- Convertisseur résonnant LLC
Application standard
MOSFET de puissance associés
STMicroelectronics MOSFET de puissance M9 MDmesh™
Intègrent une structure de dispositif améliorée, une faible résistance à l'état passant et de faibles valeurs de charge de grille.
STMicroelectronics Power MOSFETs
Broad range of breakdown voltages from -500V to 1500V.
COMPLÉTEZ VOTRE CONCEPTION
STMicroelectronics Standard Products
A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.